ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры (с Изменением N 1)

Произвольные данные:

Документ «ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры с Изменением N 1» представляет собой национальный стандарт, который определяет основные параметры и требования к полупроводниковым излучателям. Он охватывает широкий спектр применения полупроводниковых излучателей в различных отраслях, включая электронику, связь и медицину. Стандарт направлен на унификацию характеристик излучателей для обеспечения их совместимости и надёжности в эксплуатации.

В документе регламентируются методы испытаний, параметры, а также требования к полупроводниковым излучателям. Основные аспекты включают методы измерения светового потока, спектрального распределения, а также электрических характеристик. Также устанавливаются требования к температурным условиям и долговечности излучателей, что позволяет обеспечить их стабильную работу в различных условиях эксплуатации.

Технические детали, содержащиеся в стандарте, охватывают условия испытаний, такие как температура окружающей среды, влажность и напряжение. Классификация излучателей по различным параметрам, включая мощность и спектр излучения, также является важной частью документа. Измеряемые величины, такие как яркость и эффективность преобразования, играют ключевую роль в оценке качества полупроводниковых излучателей.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых излучателей, лаборатории, занимающиеся их испытаниями, а также контролирующие органы, ответственные за качество и безопасность продукции. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и продуктов, а также для проведения сертификации и контроля качества на всех этапах производства.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость полупроводниковых излучателей. Соблюдение требований ГОСТ 24352-80 способствует повышению надёжности и долговечности продукции, что, в свою очередь, минимизирует риски, связанные с её использованием. Изменения, внесённые в документ, касаются уточнения некоторых параметров и методов испытаний, что позволяет адаптировать стандарт к современным требованиям и достижениям в области полупроводниковой техники.