Открыть бургер меню.
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

Ге3.365.004ТУ Приборы полупроводниковые. Транзисторы типа 2Т808А. Частные технические условия (с Изменениями N 1-20)

Название документа
Ге3.365.004ТУ Приборы полупроводниковые. Транзисторы типа 2Т808А. Частные технические условия (с Изменениями N 1-20)
Номер документа
Ге3.365.004ТУ
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ Ге3 365 004ТУ представляет собой частные технические условия на полупроводниковые транзисторы типа 2Т808А. Основное назначение данного документа заключается в регламентации требований к конструкции, характеристикам и методам испытаний этих транзисторов. Сфера его применения охватывает производство электронной аппаратуры, где транзисторы используются в качестве ключевых элементов для управления и усиления сигналов.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми в документе, являются методы испытаний, параметры производительности и требования к качеству полупроводниковых транзисторов. В частности, описываются условия для электрических испытаний, включая измерение токов, напряжений и температурных характеристик. Также документ определяет допустимые пределы отклонений от номинальных значений, что критично для обеспечения надежности работы транзисторов в различных условиях эксплуатации.

Важные технические детали касаются условий испытаний, которые должны проводиться в специализированных лабораториях с использованием сертифицированного оборудования. Классификация транзисторов по их параметрам и назначению также имеет значение, поскольку это влияет на выбор компонентов в зависимости от специфических требований конечного устройства. Измеряемые величины включают, но не ограничиваются, параметрами усиления, частотными характеристиками и температурной стабильностью.

Целевая аудитория документа включает производителей полупроводниковой продукции, исследовательские лаборатории и контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и проверкой качества. Стандарт обеспечивает единый подход к производству и тестированию транзисторов, что способствует повышению качества и безопасности конечной продукции. Это также позволяет избежать несоответствий и упрощает процесс сертификации новых изделий на рынке.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость полупроводниковых компонентов. Соответствие установленным требованиям минимизирует риски возникновения неисправностей и увеличивает срок службы электронных устройств. Изменения N 1, внесенные в документ, касаются уточнения методов испытаний и обновления требований к измерительным приборам, что позволяет улучшить точность и достоверность получаемых результатов.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.

Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.

Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.