1303527224 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров

ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров

ГОСТ Р 70999-2023



НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ

Система параметров

Semiconductor diodes. Parameters system



ОКС 31.080

Дата введения 2024-03-01



Предисловие

     

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 11 октября 2023 г. N 1109-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые импульсные полупроводниковые диоды (далее - диоды) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в общие технические условия (ОТУ) и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре.

Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством.

2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

3 Термины и определения

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57436 и ГОСТ 25529, а также следующий термин с соответствующим определением:

3.1 нестабильность обратного тока импульсного диода : Относительное изменение обратного тока за время, заданное в ТУ на диоды конкретных типов.

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров
Номер документа
70999-2023
Вид документа
Нормативно-технический документ
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ГОСТ Р 70999 2023 Диоды полупроводниковые импульсные Система параметров» предназначен для установления единой системы параметров, методов испытаний и требований к полупроводниковым импульсным диодам. Он охватывает различные аспекты, связанные с производством, испытанием и контролем качества этих компонентов, что делает его актуальным для производителей и исследовательских лабораторий, работающих в области электроники.

Ключевыми аспектами документа являются методы испытаний, включая параметры, такие как обратное напряжение, прямое напряжение и время восстановления. Также регламентируются требования к измерительным методам, которые должны обеспечивать высокую точность и повторяемость результатов. Это позволяет гарантировать, что диоды соответствуют необходимым стандартам качества и надежности.

Важные технические детали включают условия испытаний, такие как температура, влажность и методы подключения, которые могут повлиять на характеристики диодов. Классификация диодов по их рабочим параметрам и области применения также является важной частью стандарта, что позволяет пользователям правильно выбирать компоненты в зависимости от их потребностей.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых изделий, научно-исследовательские лаборатории и контролирующие органы, которые занимаются сертификацией и проверкой качества. Стандарт также может быть полезен для проектировщиков и инженеров, работающих в области разработки электронных устройств.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда. Соблюдение установленных требований способствует снижению вероятности отказов и аварийных ситуаций, связанных с использованием полупроводниковых диодов. Это, в свою очередь, повышает общую надежность и долговечность электронных устройств.

В документе учтены последние изменения в области технологий и материалов, что позволяет адаптировать стандарт к современным требованиям. Обновления касаются уточнения методов испытаний и расширения перечня регламентируемых параметров, что делает стандарт более актуальным и соответствующим современным тенденциям в электронике.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»