Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ Р 71477-2024 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения
ГОСТ Р 71477-2024
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения
High-power high-voltage bipolar transistors. Methods for measuring the rate of rise of reverse voltage
ОКС 11.080
17.220.20
31.080
Дата введения 2025-03-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным бюджетным учреждением "Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники" (ФГБУ "ВНИИР")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 27 июня 2024 г. № 873-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Введение
Актуальной проблемой на пути еще более широкого применения полупроводниковых приборов представляется ограничение по максимальной величине параметра dU/dt при подаче импульса обратного напряжения. Стойкость полупроводниковых приборов, в частности мощных биполярных транзисторов, к воздействию dU/dt - одно из требований, устанавливающих ограничение скорости переключения в режиме жесткой коммутации. Установлено, что транзисторы с низкой стойкостью к dU/dt более подвержены отказам при воздействии больших пусковых токов, особенно при использовании в быстродействующих устройствах с импульсным режимом работы.
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные транзисторы и устанавливает следующие методы измерения скорости нарастания обратного напряжения:
а) с помощью импульсного напряжения с фиксированным временем нарастания и переменной амплитудой;
б) с помощью импульсного напряжения с фиксированной амплитудой и переменным временем нарастания.
Общие условия при измерении скорости нарастания обратного напряжения должны соответствовать ГОСТ 18604.0-83.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 18604.0 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»