Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
BS EN 62374-1-2010 Semiconductor devices Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers - CORR: June 30, 2011
Документ «BS EN 62374-1-2010» устанавливает требования и методику проведения испытаний на временно-зависимое диэлектрическое пробитие (TDDB) для межметаллических слоев в полупроводниковых устройствах. Он предназначен для обеспечения надежности и долговечности полупроводниковых компонентов, которые широко применяются в различных электронных устройствах.
Ключевыми аспектами данного стандарта являются методы определения времени до диэлектрического пробития, параметры испытаний и требования к условиям их выполнения. Стандарт описывает процедуры, позволяющие оценить устойчивость материалов, используемых в межметаллических слоях, к различным воздействующим факторам, что имеет жизненно важное значение для повышения качества продукции.
Важными техническими деталями являются определения условий испытаний, включая температуру, напряжение и воздействие влаги, а также классификации и измеряемые величины, такие как время до пробоя и ток утечки. Эти параметры играют ключевую роль в гарантии надежности полупроводниковых компонентов и их долгосрочной работоспособности.
Целевой аудиторией данного стандарта являются производители полупроводниковых устройств, исследовательские и испытательные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся проверкой соблюдения норм и стандартов в области электроники. Он предоставляет необходимую информацию для инженеров и разработчиков, которые занимаются проектированием и тестированием микросхем и других электронных компонентов.
Практическое значение стандарта заключается в его способности повышать безопасность, качество и совместимость полупроводниковых устройств, а также в обеспечении охраны труда в процессе их эксплуатации. Стандарт способствует внедрению лучших практик в производственный процесс и помогает избежать потенциальных проблем, связанных с диэлектрическим пробитием.
Обновления и изменения к стандарту, внесенные с момента его первоначальной публикации, касаются уточнения методик испытаний и добавления новых требований, направленных на улучшение тестирования и оценки материалов. Эти изменения направлены на адаптацию стандарта к современным требованиям и технологиям в области электроники.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.
Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.
Возможно вас заинтересуют
BS EN 62373-2006 Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
BS EN 62369-1-2009 Evaluation of human exposure to electromagnetic fields from short range devices (SRDs) in various applications over the frequency range 0 GHz to 300 GHz - Part 1: Fields produced by devices used for electronic article surveilla nce, rad
BS EN 62366-1-2015 + A1-2020
BS EN 62374-2007
DS DS/EN 62375-2004 Video systems (625/50 progressive) - Video and accompanied data using the vertical blanking interval - Analogue interface
BS EN 62376-2011 Maritime navigation and radiocommunication equipment and systems - Electronic chart system (ECS) - Operational and performance requirements, methods of testing and required test results