496020297 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 62373-1-2020 Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET Полупроводниковые устройства - Тест стабильности напряжения и температуры для транзисторов с металлооксидным полупроводниковым слоем (MOSFET) - Часть 1: Быстрый тест BTI для MOSFET

Загрузка документа...

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
IEC 62373-1-2020 Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET Полупроводниковые устройства - Тест стабильности напряжения и температуры для транзисторов с металлооксидным полупроводниковым слоем (MOSFET) - Часть 1: Быстрый тест BTI для MOSFET
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 62373-1-2020» представляет собой стандарт, посвящённый испытаниям на стабильность приbias- температуры для транзисторов на металлооксидном полупроводнике (MOSFET). Основное назначение данного стандарта заключается в обеспечении повторяемости и точности в проведении тестов, связанных с эффектом поля и стабильностью параметров MOSFET, что критично для их эксплуатации в различных условиях.

Стандарт регулирует методы тестирования, параметры испытаний, а также требования к оборудованию и условиям, в которых проводятся испытания. В документе рассматриваются процедуры, позволяющие оценить влияние температуры и напряжения на характеристики MOSFET, а также методы определения и анализа длинного и короткого сроков стабильности параметров устройства.

Определяются ключевые технические детали, такие как температура окружающей среды, параметры напряжения и время воздействия, что играет важную роль в понимании долговечности и надёжности устройств. Также в документе определяются классификации по различным уровням стабильности валентных характеристик, что помогает производителям точно оценивать качество своей продукции.

Целевая аудитория включает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, которые занимаются сертификацией и проверкой качества полупроводниковой продукции. Стандарт предоставляет общую основу для оптимизации производственных процессов и контроля качества, что имеет критическое значение для обеспечения безопасности и надёжности устройств в конечных приложениях.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на качество и безопасность полупроводниковых устройств. С его помощью можно предотвратить сбои в работе устройств, вызванные непрочностью, что, в свою очередь, способствует повышению общей безопасности технологических процессов и завершённых изделий. В стандарте также указаны изменения, касающиеся новых методов и технологий, что позволяет производителям оставаться в курсе последних тенденций и стандартов в области полупроводников.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 62372-2021 Nuclear instrumentation - Housed scintillators - Test methods of light output and intrinsic resolution Ядерные измерительные приборы – Установленные сцинтилляторы – Методы испытаний светового выхода и врожденной разрешающей способности PDF IEC 62369-1-2008 Evaluation of human exposure to electromagnetic fields from short range devices (SRDs) in various applications over the frequency range 0 GHz to 300 GHz – Part 1: Fields produced by devices used for electronic article surveillance, radio Оценка воздействия человека на электромагнитные поля от устройств короткого диапазона (SRD) в различных приложениях в диапазоне частот от 0 ГГц до 300 ГГц – Часть 1: Поля, создаваемые устройствами для электронного контроля товаров PDF IEC 62368-3-2017 Audio/video, information and communication technology equipment – Part 3: Safety aspects for DC power transfer through communication cables and ports Оборудование для аудио/видео, информационных и коммуникационных технологий – Часть 3: Аспекты безопасности для передачи постоянного тока через коммуникационные кабели и разъемы PDF IEC 62373-2006 Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) Тест стабильности напряжения и температуры для транзисторов с металлооксидным полупроводниковым слоем (MOSFET) PDF IEC 62374-1-2010 Semiconductor devices – Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers Полупроводниковые устройства – Часть 1: Тест на временную зависимость пробоя диэлектрика (TDDB) для межметаллических слоев PDF IEC 62374-2007 Semiconductor devices – Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films Полупроводниковые устройства – Тест на временную зависимость пробоя диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора