496022163 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 63068-3-2020 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбидов кремния для силовых устройств - Часть 3: Метод испытаний дефектов с использованием фотолюминесценции

Загрузка документа...

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
IEC 63068-3-2020 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбидов кремния для силовых устройств - Часть 3: Метод испытаний дефектов с использованием фотолюминесценции
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 63068-3-2020» посвящён разработке и уточнению методов неразрушающей оценки дефектов в гомоэпитаксиальных кремниевых карбидных пластинах для силовых устройств. Этот стандарт применяется в области технологий полупроводников, особенно в производстве, где качество материала критично для надёжности и производительности конечного устройства. Основной целью документа является представление тестовых методов, используемых для обнаружения дефектов, которые могут влиять на эксплуатационные характеристики кремниевых карбидных пластин.

Ключевыми регламентируемыми аспектами являются методы тестирования, параметры и необходимые процедуры для определения несоответствий в кремниевых карбидах. Стандарт включает в себя требования к условиям испытаний, а также описывает параметры, которые должны быть учтены во время оценивания качества пластин. В документе рассматриваются специфические методы взаимодействия света с материалом, что позволяет выявить различные типы дефектов и их взаимосвязь с микроструктурными изменениями.

Технические детали тестирования, указанные в документе, включают атмосферные условия, такие как температура и давление, а также классификации дефектов по степени их влияния на функциональные характеристики. Измеряемые величины касаются фотолюминесценции и других оптических свойств, которые предоставляют важные сведения о внутренней структуре материала. Это делает тесты высокоэффективными для идентификации потенциальных проблем еще на ранних стадиях производства.

Целевой аудиторией данного стандарта являются производители полупроводниковых компонентов, независимые лаборатории, а также контролирующие органы, ответственные за соблюдение стандартов качества. Стандарт помогает производителям и исследователям установить общую основу для оценки и улучшения качества кремниевых карбидных технологий. Таким образом, он занимает ключевую позицию в обеспечении безопасности и надежности полупроводниковых устройств.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и трудовую защиту в процессе производства полупроводников. Реализация данного документа способствует улучшению совместимости различных полупроводниковых устройств, снижает риски возникновения дефектов и, следовательно, повышает общую эффективность и долговечность готовой продукции. Изменения и дополнения в документе, если таковые имеются, кратко затрагивают обновления в методах тестирования и уточнения параметров испытаний, что позволяет синхронизировать стандарт с последними научными достижениями в области полупроводниковых технологий.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 63068-2-2019 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбидов кремния для силовых устройств - Часть 2: Метод испытаний дефектов с использованием оптической инспекции PDF IEC 63068-1-2019 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбидов кремния для силовых устройств - Часть 1: Классификация дефектов PDF IEC 63067-2020 Electrical installations for lighting and beaconing of aerodromes - Connecting devices - General requirements and tests Электроустановки для освещения и обозначения аэродромов - Соединительные устройства - Общие требования и испытания PDF IEC 63068-4-2022 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств - Часть 4: Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптической проверки и PDF IEC 63073-1-2020 Dedicated radionuclide imaging devices - Characteristics and test conditions - Part 1: Cardiac SPECT Устройства для радионуклидной визуализации - Характеристики и условия испытаний - Часть 1: СПЭКТ сердца PDF IEC 63075-2019 Superconducting ac power cables and their accessories for rated voltages from 6 kV to 500 kV – Test methods and requirements Сверхпроводящие переменно-токовые кабели и их аксессуары для номинальных напряжений от 6 кВ до 500 кВ – Методы испытаний и требования