Картотека документов
Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 63275-1-2022 Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
Название документа
IEC 63275-1-2022 Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто
Скачать документ нельзя. Можно заказать бесплатно один документ
Международные и зарубежные стандарты ( ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Возможно вас заинтересуют
IEC 63269-2022 Maritime navigation and radiocommunication equipment and systems - Maritime survivor locating devices (man overboard devices) - Minimum requirements, methods of testing and required test results
IEC 63260-2020 (IEEE Std 1082)
IEC 63254-2022 Management and interfaces for WPT - Device-to-device wireless charging (D2DWC) for mobile devices with wireless power TX/RX module
IEC 63275-2-2022 Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
IEC 63277-2021 Binary power generation systems with capacity less than 100 kW - Performance test methods
IEC 63284-2022 Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors