Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ASTM F1366-1992 (R 2002) Standard Test Method for Measuring Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry Стандартный метод испытаний для измерения концентрации кислорода в сильно легированных субстратах кремния с использованием масс-спектрометрии вторичных ионов
Документ ASTM F1366 представляет собой стандартный метод испытаний, который определяет процедуру измерения концентрации кислорода в сильно легированных кремниевых подложках с использованием метода вторичной ионной масс-спектрометрии (SIMS). Данный стандарт применяется в области полупроводниковой технологии, особенно в производстве кремниевых подложек, где контроль уровня кислорода имеет критическое значение для обеспечения качества и производительности конечных продуктов.
Ключевыми аспектами, регулируемыми данным стандартом, являются методы подготовки образцов, параметры анализа, а также требования к проведению измерений. Стандарт описывает детализированные процедуры, включая подготовку образцов, условия испытаний и калибровку оборудования, что позволяет добиться высокой точности и воспроизводимости результатов. Важным элементом является использование стандартных образцов для валидации методов и получения сопоставимых данных.
Технические детали, содержащиеся в документе, включают описание условий испытаний, таких как температура, давление и состав среды, в которой проводятся измерения. Также указаны классификации легирования и диапазоны концентраций кислорода, которые могут быть измерены при помощи описанного метода. Эти параметры являются критически важными для достижения надежных и точных результатов, необходимых для дальнейшего анализа и применения в производственных процессах.
Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводников, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, ответственные за соблюдение стандартов качества. Данный документ служит руководством для специалистов, работающих в области разработки и тестирования кремниевых подложек, обеспечивая единые подходы к измерению и контролю качества продукции.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда в производственных процессах. Соблюдение данного стандарта способствует повышению совместимости и надежности кремниевых подложек, что, в свою очередь, влияет на общую производительность полупроводниковых устройств. В случае внесения изменений или дополнений в стандарт, они касаются уточнения методов калибровки и обновления рекомендаций по выбору оборудования, что позволяет улучшить качество измерений и адаптировать стандарт к современным требованиям отрасли.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»