Top.Mail.Ru
ASTM F40-1983 STANDARD METHOD FOR PREPARING MONOCRYSTALLINE TEST INGOTS OF SILICON BY THE VERTICAL-PULLING (CZOCHRALSKI) TECHNIQUE СТАНДАРТНЫЙ МЕТОД ПОДГОТОВКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕСТОВЫХ ГОЛОВКИ СИЛИКАНА МЕТОДОМ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ВЫТЯГИВАНИЯ (ТЕХНИКА ЦЗОЧРАЛЬСКОГО) - Информпроект Групп
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ASTM F40-1983 STANDARD METHOD FOR PREPARING MONOCRYSTALLINE TEST INGOTS OF SILICON BY THE VERTICAL-PULLING (CZOCHRALSKI) TECHNIQUE СТАНДАРТНЫЙ МЕТОД ПОДГОТОВКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕСТОВЫХ ГОЛОВКИ СИЛИКАНА МЕТОДОМ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ВЫТЯГИВАНИЯ (ТЕХНИКА ЦЗОЧРАЛЬСКОГО)

Загрузка документа...

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ASTM F40-1983 STANDARD METHOD FOR PREPARING MONOCRYSTALLINE TEST INGOTS OF SILICON BY THE VERTICAL-PULLING (CZOCHRALSKI) TECHNIQUE СТАНДАРТНЫЙ МЕТОД ПОДГОТОВКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕСТОВЫХ ГОЛОВКИ СИЛИКАНА МЕТОДОМ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ВЫТЯГИВАНИЯ (ТЕХНИКА ЦЗОЧРАЛЬСКОГО)
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ASTM F40-1983 STANDARD METHOD FOR PREPARING MONOCRYSTALLINE TEST INGOTS OF SILICON BY THE VERTICAL-TECHNIQUE» представляет собой стандартный метод, предназначенный для подготовки монокристаллических тестовых слитков кремния с использованием вертикальной техники. Этот стандарт применяется в области материаловедения и полупроводниковой технологии, где требуется получение высококачественных монокристаллов для дальнейшего использования в различных промышленных процессах.

Основными аспектами, регламентируемыми данным документом, являются методы выращивания монокристаллов, параметры процесса, а также требования к оборудованию и условиям, в которых осуществляется подготовка слитков. Стандарт описывает необходимые этапы, включая контроль температуры, скорости кристаллизации и чистоты исходных материалов, что критически важно для достижения требуемых характеристик конечного продукта.

Важные технические детали, указанные в стандарте, включают условия испытаний, такие как температура плавления, скорость охлаждения и методы контроля качества получаемых слитков. Также рассматриваются классификации получаемых кристаллов по их структурным и электрическим свойствам, что позволяет производителям и исследователям оценивать соответствие полученных материалов заданным требованиям.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых материалов, научные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и обеспечением качества продукции. Стандарт служит важным инструментом для специалистов, работающих в области разработки и производства высококачественных кремниевых кристаллов, обеспечивая единые требования и методы, что способствует улучшению совместимости материалов и технологий.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и эффективность производственных процессов. Следование рекомендациям данного документа позволяет минимизировать риски, связанные с производством и использованием кремниевых слитков, а также способствует улучшению условий труда и охраны окружающей среды. В случае наличия изменений или дополнений к стандарту, они, как правило, касаются уточнения методов контроля и новых технологий, что отражает современные достижения в области кристаллографии и материаловедения.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»