ASTM F996-2011 (R 2018) Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–Voltage Characteristics

Международные и зарубежные стандарты ( ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.

Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть» (“AS IS”), получены нами из открытых источников. Актуализация документов не производится, информацию о статусе, актуальности и полных атрибутах документов можно найти в тиражных системах «Техэксперт» либо в других источниках.