ГОСТ 8.015-72 Государственная система обеспечения единства измерений (ГСИ). Методика выполнения измерений относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков из тонколистовых материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц

     
ГОСТ 8.015-72

Группа Т86

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСУДАРСТВЕННАЯ СИСТЕМА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ

Методика выполнения измерений относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков из тонколистовых материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц

The state system for ensuring the uniformity of measurements. Method of Measurements of Relative Dielectric
Permittivity and Tangent of Dielectric Dissipation Angle of Solid Dielectrics Made of
Thin Leafed Materials in the Frequency Band from
9 to 10 GHz

     
     
Дата введения 1973-07-01

РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Всесоюзным научно-исследовательским институтом физико-технических и радиотехнических измерений (ВНИИФТРИ)

Директор Валитов Р.А.

Руководитель темы Зальцман Е.Б.

Исполнитель Пояркова В.Е.

ПОДГОТОВЛЕН К УТВЕРЖДЕНИЮ Отделом радиоэлектроники и связи Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР

Начальник отдела Ремизов Б.А.

Ст. инженер Манохин И.В.

Всесоюзным научно-исследовательским институтом Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР (ВНИИГК)

Зам. директора Кипаренко В.И.

Руководитель лаборатории Булатов С.Б.

Ст. научный сотрудник Сафаров Г.А.

УТВЕРЖДЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР 12 мая 1972 г. (протокол N 60)

Председатель отраслевой научно-технической комиссии зам. председателя Госстандарта СССР Никифоренко А.М.

Члены комиссии: Сыч А.М., Алмазов И.А., Плис Г.С., Потемкин Л.В., Ремизов Б.А., Романов А.Д., Самойлов В.А., Суворов М.Н., Халап И.А.

ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 28 июня 1972 г. N 1308

Настоящий стандарт распространяется на тонколистовые твердые диэлектрические материалы толщиной от 0,5 до 2,5 мм с относительной диэлектрической проницаемостью от 1,1 до 20 и тангенсом угла диэлектрических потерь от 0,0001 до 0,01 и устанавливает резонансный метод определения и этих материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц.

1. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ

1.1. Измерение относительной диэлектрической проницаемости производят методом, основанным на нахождении разности резонансных длин объемного круглого цилиндрического резонатора с электромагнитными колебаниями типа до и после помещения в резонатор образца диэлектрика в режиме холостого хода при неизменной за время измерения частоте колебаний, где - число полуволн, укладывающихся по длине резонатора. Предпочтительный ряд - 2, 3, 4, 5.

1.2. Измерение тангенса угла диэлектрических потерь производят методом, основанным на нахождении ослабления интенсивности электромагнитных колебаний на выходе резонатора при помещении в резонатор образца диэлектрика в режиме холостого хода.

2. ОБРАЗЦЫ

2.1. Порядок отбора образцов, количество отобранных образцов и подготовка их к измерениям (сушка, выдержка и т.д.) должны быть оговорены в нормативно-технической документации на испытуемые диэлектрические материалы.

2.2. Образец диэлектрика не должен иметь видимых трещин, сколов, вмятин и загрязнений. Образец по внешнему виду и цвету должен быть однородным.

2.3. Образец должен иметь форму диска, неперпендикулярность поверхности относительно поверхности должна быть не более 0,1 мм (черт.1).