Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 18604.19-88 (СТ СЭВ 6038-87) Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения (с Изменением N 1)
ГОСТ 18604.19-88
(СТ СЭВ 6038-87)*
______________________
* Обозначение стандарта.
Измененная редакция, Изм. N 1.
Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Метод измерения граничного напряжения
Bipolar transistors. Method of measuring threshold voltage
ОКП (ОКСТУ) 62 2312 (6220)
Срок действия с 01.07.89
до 01.07.94*
_______________________________
* Ограничение срока действия снято
постановлением Госстандарта СССР от 29.05.91 N 760
(ИУС N 8, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28.03.88 N 809
2. Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147-2
3. ВЗАМЕН ГОСТ 18604.19-78
4. Срок проверки 1993 г., периодичность проверки 5 лет
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка |
Номер пункта, подпункта |
Вводная часть |
ВНЕСЕНО Изменение N 1, утвержденное и введенное в действие с 01.07.89 постановлением Госстандарта СССР от 26.10.88 N 3542
Изменение N 1 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 2, 1990 год
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения .
Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 6038-87.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ
1.1. Измерение граничного напряжения биполярного транзистора заключается в определении напряжения между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора и при токе базы, равном нулю.
1.2. Ток коллектора, ток базы в режиме насыщения, индуктивность в цепи коллектора (или длительность импульса тока коллектора), частоту импульсов генератора тока базы (если частота отличается от промышленной), температуру окружающей среды (при необходимости температуру корпуса) указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
2. АППАРАТУРА
2.1. Граничное напряжение следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.
- генератор импульсов тока базы;
- измеряемый транзистор;
- резистор;
- генератор тока коллектора;
- импульсный измеритель напряжения;
- ограничитель напряжения;
- осциллограф
Черт.1
2.2. Полярность включения элементов указана на схеме для n-p-n транзисторов. Для р-n-р транзисторов полярность должна быть обратной.
2.3. Граничное напряжение измеряют осциллографом или импульсным измерителем напряжения. При использовании осциллографа напряжение на измеряемом транзисторе определяют по отклонению луча по оси , а ток - по отклонению луча по оси
.
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 18604 19 88 СТ СЭВ 6038 87» регламентирует метод измерения граничного напряжения транзисторов биполярного типа. Он предназначен для применения в области электроники, в частности, для оценки характеристик полупроводниковых приборов, используемых в различных электронных устройствах. Стандарт обеспечивает единообразие в методах испытаний, что способствует повышению качества и надежности продукции.
В документе описываются методы и процедуры, позволяющие точно измерять граничное напряжение биполярных транзисторов. Ключевыми параметрами, регламентируемыми стандартом, являются условия проведения испытаний, включая температуру, напряжение и другие электрические характеристики. Также определяются требования к измерительным приборам, что позволяет обеспечить достоверность получаемых результатов.
Технические детали, касающиеся условий испытаний, включают необходимость использования определенных схем и оборудования для получения точных данных. Стандарт также включает классификацию транзисторов по различным параметрам, что упрощает процесс их идентификации и применения в схемах. Измеряемыми величинами являются, в частности, токи и напряжения, которые критически важны для оценки работоспособности устройства.
Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых приборов, научно-исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и проверкой качества электронных компонентов. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и усовершенствования существующих процессов в области электроники.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции. Соблюдение регламентов позволяет минимизировать риски, связанные с эксплуатацией электронных устройств, а также обеспечивает их совместимость с другими компонентами. Это, в свою очередь, способствует улучшению охраны труда и снижению вероятности возникновения аварийных ситуаций.
Изменение N 1 к документу вносит уточнения в методику измерений и расширяет диапазон допустимых значений для некоторых параметров. Эти дополнения направлены на улучшение точности испытаний и адаптацию метода к современным требованиям и технологиям. Таким образом, стандарт остается актуальным и полезным инструментом для специалистов в области электроники.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»