ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь - Информпроект Групп
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь

ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь

     
ГОСТ 19656.10-88

Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ И ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ

Методы измерения сопротивлений потерь

Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances


ОКП 621000

Срок действия с 01.07.89
до 01.07.94*
______________________________
* Ограничение срока действия снято
по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета
по стандартизации, метрологии и сертификации
 (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.

     
     
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28.09.88 N 3291

2. Срок первой проверки 1994 г., периодичность проверки 5 лет

3. ВЗАМЕН ГОСТ 19656.10-75 и ГОСТ 19656.11-75

4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта, подпункта, перечисления, приложения

ГОСТ 18986.4-73

1.3.6; 2.5.2; 4.5.2; приложение 4

ГОСТ 19656.0-74

Вводная часть; 1.2.2, перечисление 1; пп.2.2.2; 3.2.6; 4.2.2, перечисление 6


Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные (далее - СВЧ) диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:

1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности () ограничительных СВЧ диодов;

2) прямого сопротивления потерь () переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь (, )* переключательных СВЧ диодов:

_______________

* Обратное сопротивление потерь приводится для последовательной () и параллельной () эквивалентной схемы диода.



а) метод измерительной линии с подвижным зондом;

б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;

в) резонаторный метод.

Общие требования при измерениях - по ГОСТ 19656.0-74.



1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Принцип, условия и режим измерения

1.1.1. Сопротивление потерь определяют, исходя из измерения входного сопротивления коаксиальной диодной камеры с диодом, включенным в качестве оконечной нагрузки и учета потерь в камере, определяемых с помощью эквивалентов холостого хода (далее - XX).

1.1.2. Значения частоты измерения, уровня СВЧ мощности, при которых проводят измерения, следует приводить в ТУ на диоды конкретных типов.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.




- генератор СВЧ мощности; - вентиль ферритовый; - линия измерительная; - камера диодная; - усилитель измерительный; - частотомер; - измеритель мощности

     
Черт.1



1.2.2. Элементы, входящие в структурную схему, должны соответствовать следующим требованиям:

1) вентиль ферритовый , генератор СВЧ мощности , линия измерительная , частотомер , измеритель мощности - по ГОСТ 19656.0-74;

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
Номер документа
19656.10-88
Вид документа
Нормативно-технический документ
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ГОСТ 19656 10 88» регламентирует методы измерения сопротивлений потерь полупроводниковых диодов, предназначенных для работы в сверхвысокочастотных режимах. Основное назначение стандарта заключается в обеспечении единства измерений и повышении точности оценки параметров диодов, что критически важно для их применения в радиочастотной и микроволновой технике. Сфера его применения охватывает как научные исследования, так и производственные процессы, связанные с разработкой и тестированием полупроводниковых компонентов.

Ключевыми аспектами документа являются описание методов измерений, параметры, которые необходимо учитывать при проведении испытаний, а также требования к оборудованию и условиям измерений. Стандарт определяет, какие именно величины должны измеряться, например, сопротивление потерь, а также включает рекомендации по выбору частоты и уровня сигнала, что позволяет получить достоверные результаты. Методы, изложенные в документе, направлены на минимизацию влияния внешних факторов на точность измерений.

Важные технические детали включают условия испытаний, такие как температура, влажность, а также спецификации оборудования, используемого для измерений. Стандарт также классифицирует диоды по их функциональным характеристикам и области применения, что позволяет пользователям правильно выбирать компоненты в соответствии с требованиями конкретных задач. Классификация способствует унификации подходов к тестированию и оценке качества полупроводниковых изделий.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых диодов, научные и испытательные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и проверкой качества продукции. Стандарт предоставляет четкие методические указания, которые способствуют повышению качества и надежности диодов, а также упрощают процесс их сертификации. Это, в свою очередь, позволяет производителям уверенно заявлять о соответствии своей продукции современным требованиям рынка.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых изделий. Соответствие установленным требованиям способствует снижению рисков, связанных с эксплуатацией диодов в критически важных системах, таких как связь, навигация и медицинская техника. Кроме того, документ способствует улучшению условий труда в лабораториях и на производственных площадках, обеспечивая сотрудников необходимыми методиками для безопасного и эффективного тестирования компонентов.

В последние годы в документ были внесены изменения, касающиеся уточнения методов измерений и обновления требований к оборудованию. Эти дополнения направлены на адаптацию стандарта к современным технологиям и практикам, что позволяет поддерживать его актуальность и соответствие международным нормам. Таким образом, «ГОСТ 19656 10 88» представляет собой важный инструмент для всех участников процесса разработки и производства полупроводниковых диодов.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»