1200017167 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции


ГОСТ 24613.8-83

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТОПАРЫ

Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Methods for measuring critical change rate of dielectric voltage


ОКП 62 3000

Дата введения 1984-07-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 21 июня 1983 г. N 2607 срок действия установлен с 01.07.84 до 01.07.89*

_________________

* Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.

           

ВЗАМЕН ГОСТ 22440.4-77

ПЕРЕИЗДАНИЕ. Май 1984 г.



Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов (далее - приборы), и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.

Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора.

Общие условия при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 24613.0-81.



1. ПРЯМОЙ МЕТОД

1.1. Принцип и условия измерения

1.1.1. Критическая скорость изменения напряжения изоляции - скорость, при которой еще не происходит срабатывание прибора.

1.1.2. Температурный режим, значения постоянных напряжений, амплитуда и длительность фронта импульса напряжения изоляции должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

           


- генератор входного сигнала; - проверяемый прибор; - генератор импульсного напряжения; - измеритель выходного сигнала; - источник постоянного напряжения

Черт.1

1.2.2. Генератор входного сигнала должен обеспечивать задание и поддержание на входе проверяемого прибора входного сигнала постоянного тока или напряжения, значение уровня которого должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания входного сигнала должна быть в пределах ±5%.

1.2.3. Генератор импульсного напряжения должен обеспечивать задание линейно-нарастающего или экспоненциально-нарастающего напряжения, значение которого должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания и поддержания амплитуды напряжения и задания фронта импульса, определяемого на уровнях 0,1 и 0,9, должна быть в пределах ±10%.

1.2.4. Измеритель выходного сигнала должен обеспечивать измерение уровней выходного сигнала с погрешностью в пределах ±5% и иметь входное сопротивление , отвечающее условию , где - выходное сопротивление проверяемого прибора.

Примечание. Измеритель допускается заменить устройством регистрации низкого и высокого уровня с теми же требованиями к погрешности и выходному сопротивлению.



1.2.5. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать задание напряжения питания проверяемого прибора в соответствии с требованиями, установленными в стандартах или технических условиях на приборы конкретных типов. Погрешность задания и поддержания напряжения питания должна быть в пределах ±3%.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1. К измерительной установке подключают проверяемый прибор.

1.3.2. Устанавливают заданные значения: напряжения питания от источника , входного сигнала от генератора и амплитуды импульса напряжения изоляции от генератора .

1.3.3. Уменьшая длительность фронта входного импульса от генератора , добиваются экстремального значения длительности фронта, при котором не происходит срабатывание проверяемого прибора.

1.4. Обработка результатов измерения

1.4.1. Критическую скорость изменения напряжения изоляции определяют по формуле

,

где - амплитуда импульса напряжения изоляции;
          

- длительность фронта импульса напряжения изоляции;

- коэффициент, учитывающий форму импульса напряжения изоляции и равный 0,8 - для линейно-нарастающего импульса, 2,2 - для экспоненциально-нарастающего импульса.

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции
Номер документа
24613.8-83
Вид документа
Нормативно-технический документ
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ГОСТ 24613 8 83» регламентирует методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции для интегральных оптоэлектронных микросхем и оптопар. Основное назначение стандарта заключается в обеспечении единой методологии оценки изоляционных свойств данных устройств, что критически важно для их надежности и безопасности в эксплуатации. Сфера применения охватывает как производственные процессы, так и испытательные лаборатории, занимающиеся разработкой и контролем качества оптоэлектронных компонентов.

В стандарте описаны ключевые регламентируемые аспекты, включая методы испытаний, параметры измерений и требования к оборудованию. Основное внимание уделяется процедурам, позволяющим определить критическую скорость изменения напряжения, что позволяет оценить устойчивость изоляции. Это важно для обеспечения долговечности и надежности применения оптоэлектронных устройств в различных электрических схемах.

Технические детали, указанные в стандарте, включают условия испытаний, такие как температура, влажность и другие внешние факторы, которые могут влиять на результаты. Классификация измеряемых величин позволяет четко определить границы допустимых значений, что способствует унификации испытаний. Стандарт также содержит рекомендации по выбору оборудования и методам его калибровки, что позволяет повысить точность измерений.

Целевая аудитория документа включает производителей оптоэлектронных компонентов, испытательные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией продукции. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов, что в свою очередь способствует повышению качества и безопасности продукции на рынке.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество оптоэлектронных устройств. Соблюдение требований ГОСТ 24613 8 83 способствует снижению рисков, связанных с эксплуатацией изделий, и обеспечивает их совместимость в различных электронных системах. Это особенно важно для применения в ответственных областях, таких как медицина, авиация и автомобильная промышленность.

В последние годы были внесены изменения и дополнения в текст стандарта, что позволило адаптировать его к современным требованиям и технологиям. Эти изменения касаются уточнения методов испытаний и расширения диапазона параметров, что обеспечивает более точную оценку изоляционных свойств. Таким образом, документ остается актуальным и востребованным в профессиональной среде.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF ГОСТ 24613.7-83 Оптопары резисторные. Метод измерения светового и темнового выходного сопротивления PDF ГОСТ 24613.6-81 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции (с Изменением N 1) PDF ГОСТ 24613.5-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки PDF ГОСТ 24613.9-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров PDF ГОСТ 24613.10-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения тока помехи и напряжения помехи низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов (с Изменением N 1) PDF ГОСТ 24613.11-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения входного напряжения низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов (с Изменением N 1)