ГОСТ Р 57902-2017 (IEC/TS 62804-1:2015) Модули фотоэлектрические. Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния

ГОСТ Р 57902-2017
(IEC/TS 62804-1:2015)

     
     
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МОДУЛИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением

Часть 1

Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния

Photovoltaic modules. Potential induced degradation tests. Part 1. Crystalline silicon photovoltaic modules

ОКС 27.160

Дата введения 2018-07-01

Предисловие

1 ПОДГОТОВЛЕН Обществом с ограниченной ответственностью "ВИЭСХ-ВОЗОБНОВЛЯЕМЫЕ ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ" (ООО "ВИЭСХ-ВИЭ") на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии международного документа, указанного в пункте 4

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 016 "Электроэнергетика"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 3 ноября 2017 г. N 1645-ст

4 Настоящий стандарт является модифицированным по отношению к международному документу IEC/TS 62804-1:2015* "Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния" (IEC/TS 62804-1:2015 "Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential induced degradation - Part 1: Crystalline silicon", MOD) путем изменения отдельных фраз, слов, ссылок, которые выделены в тексте курсивом**.

________________

* Доступ к международным и зарубежным документам, упомянутым в тексте, можно получить, обратившись в Службу поддержки пользователей.

** В оригинале обозначения и номера стандартов и нормативных документов в разделе "Предисловие" и приложении ДА приводятся обычным шрифтом, отмеченные в этих разделах знаком "**" и остальные по тексту документа выделены курсивом. - Примечания изготовителя базы данных.

Внесение указанных технических отклонений направлено на учет потребностей национальной экономики Российской Федерации и особенностей объекта стандартизации, характерных для Российской Федерации.

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5-2012 (пункт 3.5).

Сведения о соответствии ссылочных национальных и межгосударственных стандартов международным стандартам, использованным в качестве ссылочных в примененном международном документе, приведено в дополнительном приложении ДА

5 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на наземные фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния. Стандарт устанавливает методы испытаний на стойкость к кратковременному воздействию высокого напряжения, приводящему к деградации фотоэлектрических модулей в процессе эксплуатации.

Стандарт распространяется на фотоэлектрические модули, которые содержат:

- фотоэлектрические элементы из кристаллического кремния с пассивирующим/просветляющим диэлектрическим покрытием, механизмы деградации которых могут быть обусловлены подвижностью ионов, влияющих на электрическое поле вблизи поверхности фотоэлектрических элементов или электрически взаимодействующих с ними;

- стеклянное покрытие на рабочей поверхности.

Настоящий стандарт не распространяется на фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения, а также модули, выполненные из тандемных фотоэлектрических элементов.

Примечание - Настоящий стандарт может быть применен к фотоэлектрическим модулям, состоящим из многопереходных (многослойных и матричных) фотоэлектрических элементов на основе кристаллического кремния, если механизмы и процессы их деградации в условиях испытаний, установленных в разделе 7, аналогичны механизмам и процессам деградации указанных фотоэлектрических модулей из элементов с одним p-n переходом. В этом случае при начальных и завершающих испытаниях должны учитываться особенности измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) таких модулей*.

________________

* См. [1].

В условиях эксплуатации периодически возникают ситуации, когда на один фотоэлектрический модуль поступает все напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, предельное значение которого определяется при создании системы исходя из характеристик фотоэлектрических модулей или установленного значения, и может быть равно максимально допустимому напряжению модуля. Относительно кратковременные воздействия такого высокого напряжения на фотоэлектрические модули в процессе эксплуатации вызывают различные механизмы в деталях конструкции модуля, приводящие к возникновению разницы потенциалов между цепями фотоэлектрических элементов и заземленными поверхностями модуля и, как следствие, к деградации. В фотоэлектрических модулях на основе кристаллического кремния указанная деградация, прежде всего, связана с ионным переносом в герметиках и покрытиях рабочей и тыльной поверхностей; разогревом носителей заряда в фотоэлектрических элементах; перераспределением зарядов, которое ухудшает характеристики слоев и поверхности фотоэлектрических элементов; разрушением клеевых соединений; коррозией компонентов. В некоторых конструкциях под действием высокого напряжения происходит разрушение p-n переходов и изменение характеристик пробоя. Деградация усугубляется высокой температурой и влажностью, а также при загрязнении модулей проводящими, кислотными, щелочными или ионно-содержащими веществами, вызывающими повышение поверхностной проводимости.

Стандарт устанавливает два метода воздействия высоким напряжением, отличающиеся тем, как создают разницу потенциалов между цепями фотоэлектрических элементов и поверхностями модуля, а также климатической нагрузкой (температура и влажность). Результаты испытаний соответствуют уровням климатической нагрузки и полярности заземления, примененным в соответствующем испытании. Испытания по двум методам не обязательно дают одинаковые результаты.