495964029 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

BS IEC 63068-1-2019 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 1: Classification of defects Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в карбиде кремния гомоэпитаксиальных пластинах для силовых устройств Часть 1: Классификация дефектов

Загрузка документа...
Название документа
BS IEC 63068-1-2019 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 1: Classification of defects Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в карбиде кремния гомоэпитаксиальных пластинах для силовых устройств Часть 1: Классификация дефектов
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «BS IEC 63068-1-2019» систематизирует критерии неразрушающего распознавания дефектов на гомоэпиаксиальных вафлях из карбида кремния, используемых в силовых устройствах. Основное назначение стандарта — уточнить методы и требования, касающиеся классификации дефектов, что позволяет обеспечить высокое качество и надежность производимой продукции. Стандарт применяется в области полупроводниковой промышленности и ориентирован на производителей, лаборатории и контрольные органы.

Ключевыми аспектами, регулируемыми стандартом, являются методы визуальной инспекции, параметры испытаний и критерии качества для различных типов дефектов. Определяются необходимые процедуры контроля, которые позволяют эффективно выявлять и классифицировать дефекты на различных стадиях производства. Важным элементом документа являются нормативы, задающие параметры измерений, такие как размеры и расположение дефектов.

Технические детали, рассматриваемые в документе, включают условия испытаний, которые должны обеспечивать надежность и воспроизводимость результатов. Также описаны классификации дефектов, которые учитывают различные аспекты их влияния на эксплуатационные свойства силовых устройств. Измеряемые величины включают глубину, размер и количество дефектов, что позволяет проводить квалифицированный анализ состояния материала.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых компонентов, исследовательские лаборатории и органы по сертификации, что подчеркивает многогранность его применения. Каждая группа может использовать стандарт для повышения точности и надежности своих процессов, а также для соблюдения международных требований в области качества и безопасности.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество конечной продукции, а также в повышении уровня охраны труда. С переходом к новым технологиям и материалам, данный стандарт способствует улучшению совместимости устройств и их долговечности. Внесенные изменения в документ, если таковые имеются, касаются уточнения методов визуализации и новых подходов к классификации дефектов, что делает его актуальным для современного производства.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF BS IEC 63055-2016 Format for LSI-Package-Board interoperable design Формат для интероперабельного проектирования LSI-пакета-платы PDF IEC 63046-2020 Nuclear power plants - Electrical power system - General requirements Ядерные электростанции - Электрическая система питания - Общие требования PDF BS IEC 63038-2016 PDF BS IEC 63068-2-2019 Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 2: Test method for defects using optical inspection Полупроводниковые устройства – Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств Часть 2: Метод испытаний дефектов с использованием оптической проверки PDF BS IEC 63068-3-2020 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 3: Test method for defects using photoluminescence Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств Часть 3: Метод испытаний дефектов с использованием фотолюминесценции PDF IEC 63068-4-2022 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств - Часть 4: Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптической проверки и