495964033 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

BS IEC 63068-3-2020 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 3: Test method for defects using photoluminescence Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств Часть 3: Метод испытаний дефектов с использованием фотолюминесценции

Загрузка документа...
Название документа
BS IEC 63068-3-2020 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 3: Test method for defects using photoluminescence Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств Часть 3: Метод испытаний дефектов с использованием фотолюминесценции
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «BS IEC 63068-3-2020» устанавливает критерии неразрушающей идентификации дефектов в гомоэпитаксиальных кремниевых карбидных пластинах, предназначенных для мощных устройств. Его основное назначение — предоставить стандартизированные методы тестирования и оценки качества полупроводниковых материалов, что важно для производителей и лабораторий, занимающихся проверкой соответствия продукции.

Стандарт регламентирует применение фотолюминесцентных методов для обнаружения дефектов в материалах, определяя основные параметры тестирования, такие как условия освещения, длина волны возбуждения и уровень температуры при проведении испытаний. Эти аспекты критичны для обеспечения точности получаемых результатов и соответствия изделия установленным требованиям.

Ключевыми техническими деталями являются условия испытаний и классификация дефектов, включая отслеживание измеряемых величин, таких как интенсивность и спектр фотолюминесценции. Это позволяет информативно оценивать состояние материала и принимать обоснованные решения о его дальнейшей эксплуатации.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых устройств, испытательные лаборатории и контролирующие органы, что позволяет сохранить высокие стандарты безопасности и качества на всех этапах производства и использования изделий. Это важно для соблюдения нормативных требований и поддержания доверия потребителей.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и охрану труда, а также на совместимость полупроводниковых устройств с другими компонентами. Это также способствует снижению рисков повреждения оборудования и увеличению его эксплуатационного срока. В случае наличия изменений в документе, их суть заключается в уточнении методов и улучшении параметров тестирования, что укрепляет позиции стандарта в области современных технологий.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF BS IEC 63068-2-2019 Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 2: Test method for defects using optical inspection Полупроводниковые устройства – Критерии неразрушающего контроля дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств Часть 2: Метод испытаний дефектов с использованием оптической проверки PDF BS IEC 63068-1-2019 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 1: Classification of defects Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в карбиде кремния гомоэпитаксиальных пластинах для силовых устройств Часть 1: Классификация дефектов PDF BS IEC 63055-2016 Format for LSI-Package-Board interoperable design Формат для интероперабельного проектирования LSI-пакета-платы PDF IEC 63068-4-2022 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and Полупроводниковые устройства - Критерии неразрушающего распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых устройств - Часть 4: Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптической проверки и PDF BS IEC 63075-2019 Superconducting AC power cables and their accessories for rated voltages from 6 kV to 500 kV - Test methods and requirements Сверхпроводящие силовые кабели переменного тока и их аксессуары для номинальных напряжений от 6 кВ до 500 кВ - Методы испытаний и требования PDF IEC 63085-2021 Radiation protection instrumentation - System of spectral identification of liquids in transparent and semitransparent containers (Raman systems) Приборы для защиты от излучения – Система спектральной идентификации жидкостей в прозрачных и полупрозрачных контейнерах (системы Рамана)