496248974 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

DIN EN 60749-18-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose) (IEC 60749-18:2002) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 18: Ионизирующее излучение (общая доза) (IEC 60749-18:2002)

Загрузка документа...

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
DIN EN 60749-18-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose) (IEC 60749-18:2002) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 18: Ионизирующее излучение (общая доза) (IEC 60749-18:2002)
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «DIN EN 60749-18-2003» является важным стандартом, охватывающим методы механических и климатических испытаний полупроводниковых устройств, с акцентом на воздействие ионизирующего излучения. Его основное назначение заключается в установлении единых требований и процедур для оценки влияния радиации на характеристики полупроводниковых устройств. Стандарт применяется в области разработки, тестирования и контроля качества компонентов, используемых в критически важных системах, таких как авиация, медицина и ядерная энергетика.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным документом, являются методы испытаний на общее дозовое воздействие ионизирующей радиации, параметры измерений и требования к условиям тестирования. Стандарт описывает необходимые процедуры, которые должны быть выполнены для корректного проведения испытаний, а также выдвигает требования к квалификации оборудования. Это позволяет обеспечить надежность и достоверность результатов тестирования.

Технические детали стандарта включают в себя описание условий испытаний, таких как уровень ионизирующего излучения, длительность воздействия и классификации различных полупроводниковых материалов. Измеряемыми величинами могут быть изменения в электрических свойствах, таких как подвижность зарядов и утечка тока, что важно для оценки долговечности и функционирования устройств в различных условиях эксплуатации. Особое внимание уделяется количественной оценке деградации свойств материалов под действием радиации.

Целевая аудитория данного стандарта включает в себя производителей полупроводниковых устройств, специализированные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и тестированием продукции. Область применения стандартов такого рода помогает минимизировать риски, связанные с эксплуатацией полупроводников в условиях радиационного облучения, обеспечивая тем самым безопасность и эффективность работы критически важных систем.

Практическое значение стандарта заключается в его воздействии на качество, безопасность и охрану труда, а также на совместимость полупроводниковых устройств с различными системами. Он определяет основы для разработки более надежных компонентов и систем, способных функционировать надёжно даже в экстремальных условиях. В случае наличия изменений или дополнений к предыдущим версиям документа, они могут касаться уточнения методов испытаний и повышения требований к испытательному оборудованию, что в свою очередь способствует улучшению процесса оценки полупроводников.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF DIN EN 60749-17-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation (IEC 60749-17:2003) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 17: Облучение нейтронами (IEC 60749-17:2003) PDF DIN EN 60749-16-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 16: Particle impact noise detection (PIND) (IEC 60749-16:2003) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 16: Обнаружение шумов от частиц (PIND) (IEC 60749-16:2003) PDF DIN EN 60749-15-2011 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices (IEC 60749-15:2010) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 15: Устойчивость к температуре пайки для устройств с выводами (IEC 60749-15:2010) PDF DIN EN 60749-18 E-2018 PDF DIN EN 60749-19-2011 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) Полупроводниковые приборы - Методы механических и климатических испытаний - Часть 19: Прочность кристалла на сдвиг (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) PDF DIN EN 60749-2-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2: Low air pressure (IEC 60749-2:2002) Полупроводниковые устройства - Методы механических и климатических испытаний - Часть 2: Низкое атмосферное давление (IEC 60749-2:2002)