ASTM F1189-1988 STANDARD TEST METHOD FOR USING COMPUTER-ASSISTED INFRARED SPECTROPHOTOMETRY TO MEASURE THE INTERSTITIAL OXYGEN CONTENT OF SILICON SLICES POLISHED ON BOTH SIDES СТАНДАРТНЫЙ МЕТОД ТЕСТИРОВАНИЯ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КОМПЬЮТЕРНО-ПОМОЩИ В ИНФРАКРАСНОЙ СПЕКТРОФОТОМЕТРИИ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ВЗВЕШЕННОГО КИСЛОРОДА В КРЕСТОВИНАХ СИЛИЦИЯ, ОБРАБОТАННЫХ С ОБЕИХ СТОРОН

Документ ASTM F1189-1988 представляет собой стандартный метод испытаний, предназначенный для измерения содержания интерстициального кислорода в кремниевых пластинах, отшлифованных с обеих сторон, с использованием инфракрасной спектрофотометрии с компьютерной поддержкой. Этот стандарт применяется в области полупроводниковой технологии, где контроль содержания кислорода в кремнии имеет критическое значение для обеспечения высоких характеристик материалов и компонентов.

Основными аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются процедуры подготовки образцов, параметры измерений и требования к оборудованию. Метод включает в себя использование инфракрасного спектрометра, который позволяет точно определить концентрацию кислорода в кремнии, что важно для оценки его чистоты и качества. Также документ описывает условия проведения испытаний, включая температурные режимы и настройки прибора, что обеспечивает воспроизводимость результатов.

Ключевыми измеряемыми величинами являются концентрация интерстициального кислорода и спектральные характеристики образцов, что позволяет проводить анализ в соответствии с установленными нормами. Стандарт также включает рекомендации по калибровке оборудования и обработке полученных данных, что способствует повышению точности и надежности измерений. Эти аспекты делают документ важным инструментом для лабораторий и производителей, работающих в области полупроводников.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых материалов, исследовательские лаборатории, а также органы контроля качества, которые заинтересованы в обеспечении соответствия продукции современным требованиям. Применение данного метода способствует улучшению качества кремниевых пластин, что, в свою очередь, влияет на общую надежность и производительность электронных устройств.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда. Точный контроль содержания кислорода в кремнии помогает предотвратить образование дефектов в полупроводниковых устройствах, что может привести к сбоям в работе и повышенному риску аварийных ситуаций. Кроме того, соблюдение данного стандарта способствует совместимости материалов, используемых в различных электронных системах, что является важным аспектом для производителей.

В последующих редакциях стандарта могут быть внесены изменения, касающиеся уточнений методов измерения или обновления оборудования, что отражает развитие технологий и научных исследований в данной области. Эти дополнения направлены на повышение точности и эффективности испытаний, что делает стандарт актуальным для современных требований к качеству полупроводниковых материалов.