ASTM F1192-2011 Standard guide for the measurement of single event phenomena (SEP) induced by heavy ion irradiation of semiconductor devices

Документ ASTM F1192-2011 представляет собой стандартное руководство по измерению одноразовых событий (SEP), вызванных облучением тяжелыми ионами полупроводниковых устройств. Основное назначение этого документа заключается в установлении методов и процедур, необходимых для оценки влияния тяжелых ионов на характеристики полупроводниковых компонентов, что имеет важное значение для их надежности и долговечности в различных условиях эксплуатации.

Стандарт охватывает ключевые аспекты, такие как методы испытаний, параметры облучения, критерии оценки и требования к оборудованию. В документе подробно описаны условия, при которых проводятся испытания, включая типы тяжелых ионов, их энергии и дозы, а также параметры, подлежащие измерению, такие как уровень порогового напряжения, скорость переключения и другие электрические характеристики.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, ответственные за оценку и сертификацию полупроводниковой продукции. Данный документ служит важным инструментом для специалистов, занимающихся разработкой и тестированием полупроводников, обеспечивая единые подходы к оценке их устойчивости к радиационным воздействиям.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых устройств, используемых в критически важных приложениях, таких как космическая техника и ядерная энергетика. Внедрение рекомендаций данного документа способствует улучшению охраны труда и совместимости устройств в условиях, подверженных радиационным воздействиям.

В последующих редакциях документа могут быть внесены изменения, касающиеся уточнения методов измерений и расширения диапазона параметров, подлежащих оценке. Эти дополнения направлены на улучшение точности и надежности испытаний, что, в свою очередь, повышает уровень доверия к результатам оценок полупроводниковых устройств в условиях воздействия тяжелых ионов.