Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ASTM F1390-2002 Standard Test Method for Measuring Warp on Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning Метод испытаний стандарта для измерения искривления на кремниевых пластинах с помощью автоматического бесконтактного сканирования

Название документа
ASTM F1390-2002 Standard Test Method for Measuring Warp on Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning Метод испытаний стандарта для измерения искривления на кремниевых пластинах с помощью автоматического бесконтактного сканирования
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ ASTM F1390-2002 представляет собой стандартный метод испытаний, предназначенный для измерения деформации (или искажения) кремниевых пластин с помощью автоматизированного бесконтактного сканирования. Основное назначение данного стандарта заключается в обеспечении точных и воспроизводимых измерений, что критически важно для контроля качества в производстве полупроводниковых компонентов. Стандарт применяется в различных областях, включая микроэлектронику и фотонику, где высокие требования к плоскостности и ровности кремниевых пластин играют ключевую роль в функционировании конечных устройств.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми в ASTM F1390-2002, являются методы сканирования, параметры измерений и требования к оборудованию. Стандарт описывает процедуры, которые должны соблюдаться для достижения точных результатов, включая настройки оборудования и условия испытаний. Важным элементом является также определение пределов допустимых значений и критериев оценки, что позволяет пользователям стандарта проводить сравнительный анализ полученных результатов с установленными нормами.

Технические детали, содержащиеся в документе, охватывают условия испытаний, такие как температура и влажность окружающей среды, а также спецификации используемого оборудования и программного обеспечения. Измеряемыми величинами являются различные формы искажения, которые могут возникать на поверхности кремниевых пластин. Эти параметры имеют решающее значение для обеспечения высоких стандартов качества в производстве полупроводников и других связанных технологий.

Целевая аудитория стандарта включает производителей кремниевых пластин, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и качеством продукции. Стандарт предоставляет необходимые методические указания, которые помогают профессионалам в данной области обеспечивать соответствие продукции международным стандартам и требованиям безопасности.

Практическое значение ASTM F1390-2002 заключается в его влиянии на безопасность и качество производимых полупроводниковых устройств. Соблюдение данного стандарта способствует снижению вероятности возникновения дефектов и повышению надежности конечной продукции. Это также может привести к улучшению условий труда, так как более качественные компоненты снижают риск отказов и аварий в процессе эксплуатации.

В последние годы документ подвергался пересмотру и обновлению, что позволило учесть новые технологии и методы измерений. Эти изменения направлены на улучшение точности и эффективности процесса сканирования, а также на расширение области применения стандарта в новых сферах, связанных с высокими технологиями. Обновления обеспечивают соответствие современным требованиям и ожиданиям пользователей, что делает стандарт актуальным в условиях быстроразвивающейся индустрии.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF ASTM F139-19 PDF ASTM F1389-2000 Standard Test Methods for Photoluminescence Analysis of Single Crystal Silicon for III-V Impurities Методы испытаний стандарта для анализа фотолюминесценции монокристаллического кремния на предмет примесей III-V PDF ASTM F1388-1992 (R 2000) Standard Test Method for Generation Lifetime and Generation Velocity of Silicon Material by Capacitance-Time Measurements of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Capacitors Метод испытаний стандарта для определения времени жизни и скорости генерации кремниевых материалов с помощью измерений емкость-время металлооксидного кремниевого (MOS) конденсатора PDF ASTM F1391-1993 (R 2000) Standard Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption Метод испытаний стандарта для определения содержания атомарного углерода в кремнии с помощью инфракрасного поглощения PDF ASTM F1392-2002 Standard Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Wafers by Capacitance-Voltage Measurements With a Mercury Probe Метод испытаний стандарта для определения профилей плотности носителей заряда в кремниевых пластинах с помощью измерений емкость-напряжение с использованием зонда из ртути PDF ASTM F1393-2002 Standard Test Method for Determining Net Carrier Density in Silicon Wafers by Miller Feedback Profiler Measurements with a Mercury Probe Метод испытаний стандарта для определения плотности носителей заряда в кремниевых пластинах с помощью измерений с помощью милиеровского фидбэка с использованием зонда из ртути