Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ASTM F950-2002 Standard Test Method for Measuring the Depth of Crystal Damage of a Mechanically Worked Silicon Slice Surface by Angle Polishing and Defect Etching Стандарт метода испытаний для измерения глубины механического повреждения поверхности кремниевой пластины методом углового полирования и травления дефектов

Название документа
ASTM F950-2002 Standard Test Method for Measuring the Depth of Crystal Damage of a Mechanically Worked Silicon Slice Surface by Angle Polishing and Defect Etching Стандарт метода испытаний для измерения глубины механического повреждения поверхности кремниевой пластины методом углового полирования и травления дефектов
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ ASTM F950-2002 представляет собой стандартный метод испытаний, предназначенный для измерения глубины кристаллических повреждений поверхности механически обработанных кремниевых пластин с помощью угловой полировки и травления дефектов. Этот стандарт применяется в области производства полупроводников и микроэлектроники, где качество поверхности кремниевых подложек критично для последующей обработки и функциональности готовых изделий.

Основные регламентируемые аспекты стандарта включают методы угловой полировки и травления, которые позволяют оценить степень повреждения кристаллической решётки кремния. Стандарт описывает параметры испытаний, такие как угол полировки, состав травящего раствора и время воздействия, что обеспечивает воспроизводимость и сопоставимость результатов. Также документ определяет требования к оборудованию и условиям, при которых должны проводиться испытания.

Важные технические детали, указанные в стандарте, включают необходимость контроля температуры и влажности в лабораторных условиях, а также использование стандартизированных образцов для калибровки. Измеряемыми величинами являются глубина повреждений, выраженная в микрометрах, а также характер и количество дефектов на поверхности. Эти параметры являются критически важными для оценки качества кремниевых пластин и их пригодности для дальнейшего использования в высокотехнологичных приложениях.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых материалов, лаборатории, занимающиеся тестированием и контролем качества, а также регулирующие органы, ответственные за соблюдение стандартов в области микроэлектроники. Стандарт обеспечивает единые критерии оценки, что способствует повышению качества продукции и снижению рисков, связанных с использованием дефектных материалов в производстве.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество конечной продукции, а также на охрану труда, поскольку правильная оценка состояния кремниевых пластин предотвращает возможные сбои в производственных процессах. Кроме того, соблюдение данного стандарта способствует улучшению совместимости компонентов и снижению затрат на брак, что в конечном итоге отражается на экономической эффективности производства.

В последующих версиях стандарта могут быть внесены изменения, касающиеся уточнения методов испытаний или обновления требований к оборудованию, что направлено на улучшение точности и надежности измерений. Эти изменения помогают адаптировать стандарт к современным технологиям и требованиям индустрии, обеспечивая актуальность и практическую применимость документа.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF ASTM F95-1989 Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer Стандарт метода испытаний для толщины слоев слабо легированных кремниевых эпитаксиальных слоев на сильно легированных кремниевых подложках с использованием инфракрасного дисперсионного спектрофотометра PDF ASTM F949-20 PDF ASTM F948-1994 (R 2011) Standard Test Method for Time-to-Failure of Plastic Piping Systems and Components Under Constant Internal Pressure With Flow Стандарт метода испытаний для времени отказа пластиковых систем трубопроводов и компонентов при постоянном внутреннем давлении с потоком PDF ASTM F951-2002 Standard Test Method for Determination of Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers Стандарт метода испытаний для определения радиальной интерстициальной вариации кислорода в кремниевых пластинах PDF ASTM F952-2012 (R 2017) Standard Specification for Mixing Machines, Food, Electric Стандарт технического задания для смесителей, пищевых, электрических PDF ASTM F952-2012 (R 2017) Standard Specification for Mixing Machines, Food, Electric Стандарт технического задания для смесителей, пищевых, электрических