ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)

Документ «ГОСТ 26239 8 84» устанавливает методику определения содержания дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в полупроводниковом кремнии и его исходных продуктах. Стандарт применяется в области производства полупроводников, а также в лабораторной практике для контроля качества сырья и готовой продукции. Он обеспечивает единообразие в проведении анализов и способствует повышению надежности результатов.

Основными регламентируемыми аспектами документа являются методы анализа, параметры испытаний и требования к оборудованию. В частности, стандарт описывает процедуру подготовки образцов, условия проведения испытаний, а также методы измерения концентрации указанных химических веществ. Это позволяет обеспечить высокую точность и воспроизводимость результатов, что критично для дальнейшего использования полупроводников в электронной промышленности.

Важные технические детали включают спецификации по температуре и давлению, при которых проводятся испытания, а также требования к чистоте реактивов и условиям хранения образцов. Классификация измеряемых величин и контроль за их соответствием установленным нормам являются ключевыми для обеспечения качества и безопасности конечной продукции. Стандарт также учитывает возможные помехи и источники ошибок в процессе анализа.

Целевая аудитория данного документа включает производителей полупроводников, научные и исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, осуществляющие надзор за качеством продукции. Стандарт служит основой для разработки внутренних регламентов и процедур в организациях, занимающихся производством и анализом полупроводниковых материалов.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых изделий, а также на охрану труда в процессе их производства. Соблюдение данного ГОСТа способствует снижению рисков, связанных с использованием некачественных материалов, и повышает общую надежность и совместимость полупроводников в электронике. Изменение N 1, внесенное в стандарт, уточняет некоторые параметры испытаний и методы их проведения, что дополнительно повышает его актуальность и применимость в современных условиях.