Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 18604.22-78 (СТ СЭВ 4289-83) Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер (с Изменением N 1)
ГОСТ 18604.22-78*
(CT СЭВ 4289-83)
Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Методы измерения напряжения насыщения
коллектор-эмиттер и база-эмиттер
Transistors bipolar.
Methods for measuring collector-emitter
and base-emitter saturation voltage
Дата введения 1980-01-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 5 июля 1978 г. N 1816 срок введения установлен с 01.01.80
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 25.06.84 N 2078 срок действия продлен до 01.01.90**
________________
** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
ВЗАМЕН ГОСТ 13852-68
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1984 г. (ИУС 1-85).
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер
в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах.
Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289-83.
(Измененная редакция, Изм. N 1)
1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
1.1. Принцип и условия измерения
1.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
1.1.2. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения или равно ему.
Если значение не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор-эмиттер.
1.1.3. Значения тока базы и тока коллектора
, значение граничного напряжения
указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
1.1.4. Допускается задавать токи базы и коллектора
от генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию
,
а выходное сопротивление генератора тока коллектора должно удовлетворять условию
,
где и
- максимальные значения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, которые могут быть измерены на данной установке;
и
- минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
1.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
,
- измерители постоянных токов базы и коллектора;
- измеритель постоянного напряжения;
и
;
,
- резисторы;
- измеряемый транзистор;
- переключатель
Черт.1
1.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
1.2.2.1. Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения должно удовлетворять соотношениям
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 18604 22 78 СТ СЭВ 4289 83 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер» регламентирует методы и процедуры, используемые для определения напряжений насыщения в биполярных транзисторах. Он применяется в области электроники, в частности, при разработке и производстве полупроводниковых устройств, где важна точность измерений этих параметров для обеспечения высоких эксплуатационных характеристик. Стандарт охватывает как теоретические аспекты, так и практические рекомендации по проведению испытаний.
Ключевыми аспектами документа являются методы измерения напряжений насыщения, а также параметры, которые необходимо учитывать при их определении. В частности, описываются условия, при которых проводятся испытания, включая температуру, уровень тока и другие электрические характеристики, влияющие на результаты измерений. Также регламентируются требования к оборудованию, используемому для проведения испытаний, что обеспечивает единообразие и сопоставимость получаемых данных.
Технические детали, изложенные в документе, включают классификацию измеряемых величин, таких как напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер. Условия испытаний описывают необходимые параметры окружающей среды и режимы работы транзисторов. Это позволяет лабораториям и производителям точно воспроизводить условия испытаний, что критически важно для достижения надежности и точности результатов.
Целевая аудитория стандарта включает производителей биполярных транзисторов, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и тестированием полупроводниковых устройств. Стандарт обеспечивает общие принципы и рекомендации, что способствует повышению качества продукции и улучшению процессов контроля на всех этапах — от разработки до серийного производства.
Практическое значение данного стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции. Соблюдение регламентируемых методов измерений позволяет минимизировать риски, связанные с эксплуатацией электроники, и обеспечивает совместимость изделий между собой. Важным аспектом является также влияние на охрану труда, так как точные измерения способствуют снижению вероятности отказов в работе устройств, что в свою очередь повышает безопасность их использования.
Согласно изменениям, внесённым в документ, уточнены некоторые методы измерений и добавлены рекомендации по использованию современного оборудования. Эти дополнения направлены на улучшение точности и надежности результатов, а также на адаптацию к новым технологиям, используемым в производстве полупроводников.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»
Возможно вас заинтересуют
ГОСТ 27763-88 Структуры циклов цифровых групповых сигналов первичной сети единой автоматизированной сети связи. Требования и нормы (с Изменением N 1)
ГОСТ 18604.20-78 (СТ СЭВ 3996-83) Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте (с Изменением N 1)
ГОСТ 27049-86 (СТ СЭВ 5251-85) Защита оборудования проводной связи и обслуживающего персонала от атмосферных разрядов
ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора (с Изменением N 1)
ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84) Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров