ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84) Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров - Информпроект Групп
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84) Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров

ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84) Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров

     
     ГОСТ 18604.26-85
(СТ СЭВ 4757-84)

Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения временных параметров

Bipolar transistors.
Methods of time parameters measurement

     
     
ОКП 62 2300
     

Дата введения 1986-07-01


Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 20 декабря 1985 г. N 4534 срок действия установлен с 01.07.86 до 01.07.91*

________________

* Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.



Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки , времени нарастания , времени включения , времени рассасывания , времени спада , времени выключения .

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4757-84.



1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Значения временных параметров определяют измерением интервалов времени в соответствии с определениями временных параметров, приведенными в ГОСТ 20003-74.

1.2. Условия и режим измерения временных параметров должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.



2. АППАРАТУРА

2.1. Временные параметры следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.



     
- генератор однополярных насыщающих импульсов; - генератор однополярных запирающих
импульсов; , - импульсные измерители тока; - испытуемый транзистор; - ограничитель
напряжения; - резистор нагрузки; , - делитель напряжения; , - резисторы в цепи базы;
  - измеритель интервалов времени; - блокировочный конденсатор;
  - источник постоянного напряжения коллектора

Черт.1


Допускается включать импульсные измерители тока в любой части измеряемой цепи.

Конкретную схему измерения приводят в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.2. Параметры импульсов на выходе генераторов и в соответствии с диаграммой временных параметров, приведенной на черт.2, должны соответствовать следующим требованиям:

           

длительность насыщающего импульса не должна быть менее 1,5 при измерении параметров , , и не менее 5 при измерении параметров , , , где и соответственно максимальное время включения и максимальное время рассасывания, которые устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки;

длительность фронта насыщающего импульса при измерении параметра не должна превышать 0,3, а при измерении параметров и - 0,5, где - время одного из указанных параметров;

длительность насыщающего импульса в технически обоснованных случаях может быть меньше 5. Конкретное значение указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

длительность запирающего импульса не должна быть менее максимального значения , которое устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки;

неравномерность вершины импульса не должна превышать 5% амплитудного значения импульса;

длительность выброса на вершине импульса не должна превышать минимального значения измеряемого интервала времени , определяемого рабочим диапазоном конкретной измерительной установки;

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84) Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
Номер документа
18604.26-85
Вид документа
Нормативно-технический документ
Принявший орган
Применяется с 01.07.1986
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ГОСТ 18604 26 85 СТ СЭВ 4757 84» регламентирует методы измерения временных параметров биполярных транзисторов. Основное назначение стандарта заключается в установлении единого подхода к оценке временных характеристик этих электронных компонентов, что обеспечивает их корректное использование в различных устройствах. Стандарт применяется в области разработки, производства и испытаний полупроводниковых приборов, что делает его актуальным для производителей и научно-исследовательских лабораторий.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются методы измерения временных параметров, таких как время переключения, время нарастания и спада сигналов, а также задержка. В документе также описаны требования к испытательному оборудованию, условиям проведения измерений и необходимым настройкам, что позволяет обеспечить точность и воспроизводимость результатов. Применение стандартных методов измерений позволяет минимизировать вариации в оценках, что критично для обеспечения надежности и стабильности работы транзисторов в условиях эксплуатации.

Важные технические детали стандарта включают описание условий испытаний, таких как температура, напряжение и частота, при которых проводятся измерения. Также предусмотрены классификации различных типов биполярных транзисторов, что позволяет пользователям стандарта правильно интерпретировать результаты. Измеряемые величины и их допустимые пределы строго определены, что способствует унификации подходов к тестированию и оценке качества транзисторов.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и проверкой качества электроники. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов, что в свою очередь влияет на безопасность и качество конечной продукции. Его применение способствует повышению совместимости различных устройств и снижению рисков, связанных с эксплуатацией электроники.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на качество и безопасность биполярных транзисторов, что непосредственно отражается на надежности и сроке службы электронных устройств. Стандарт также учитывает современные тенденции в области разработки полупроводников, что позволяет производителям адаптироваться к изменяющимся требованиям рынка. В случае изменений или дополнений, они касаются уточнения методов измерений и расширения диапазонов испытательных параметров, что делает стандарт более актуальным и соответствующим современным требованиям.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора (с Изменением N 1) PDF ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих PDF ГОСТ 18604.22-78 (СТ СЭВ 4289-83) Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер (с Изменением N 1) PDF ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) PDF ГОСТ 27908-88 Стыки цифровых волоконно-оптических систем передачи первичной сети ЕАСС. Номенклатура и основные параметры PDF ГОСТ 18683.0-83 (СТ СЭВ 1622-79, СТ СЭВ 3197-81) Микросхемы интегральные цифровые. Общие требования при измерении электрических параметров