ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3) - Информпроект Групп
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)

ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)

     
     ГОСТ 18986.9-73

Группа Э29

     
     
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
 

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Метод измерения импульсного прямого напряжения
и времени прямого восстановления

Semiconductor diodes.
Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time


MКC 31.080.10

Дата введения 1975-01-01


УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 13 июля 1973 г. N 1723

Ограничение срока действия снято по протоколу N 5-94 Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12-94)

ВЗАМЕН ГОСТ 10965-64

ИЗДАНИЕ (май 2004 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, утвержденными в феврале 1979 г., июне 1982 г., октябре 1989 г. (ИУС 4-79, 9-82, 1-90).



Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3198-81 в части метода измерения импульсного прямого напряжения.

(Измененная редакция, Изм. N 3).



1. УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18986.0-74.

1.2. Импульсное прямое напряжение и время прямого восстановления определяют по импульсу напряжения на диоде при заданных значениях параметров входного импульса в соответствии с черт.1.

         

Входной импульс

Импульс напряжения на диоде


Черт.1

1.3. Время прямого восстановления () отсчитывают по импульсу прямого напряжения на диоде между уровнями 10 и 110% установившегося значения прямого напряжения.



2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.2.

           


- генератор импульсов; - токозадающий резистор; - токоограничивающий резистор;
  - измерительное устройство; и - контакты подключения; - проверяемый диод

Черт.2



2.2. Если необходим согласованный тракт, то при выполнении условия

,



где - установившееся значение прямого напряжения на диоде, В;

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)
Номер документа
18986.9-73
Вид документа
Нормативно-технический документ
Принявший орган
Применяется с 01.01.1975 взамен ГОСТ 10965-64
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «ГОСТ 18986-9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления» устанавливает требования к методам измерения ключевых параметров полупроводниковых диодов, используемых в различных электронных устройствах. Он предназначен для применения в области разработки, производства и испытаний полупроводниковых компонентов, а также в научных исследованиях, связанных с электроникой и электротехникой.

Основное назначение стандарта заключается в регламентации методов измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления, что позволяет обеспечить единообразие и точность в проведении испытаний. В документе описаны основные параметры, которые необходимо учитывать при проведении измерений, такие как величина импульсного напряжения, длительность импульса и условия, при которых проводятся испытания.

Стандарт устанавливает важные технические детали, включая условия испытаний, такие как температура, влажность и другие факторы окружающей среды, которые могут повлиять на результаты измерений. Также определяются классификации диодов в зависимости от их характеристик, что позволяет более точно оценивать их эксплуатационные параметры и производительность.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых диодов, испытательные лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и контролем качества электронных компонентов. Соответствие стандарту гарантирует, что производимые диоды будут соответствовать установленным требованиям безопасности и качества, что особенно важно для применения в ответственных и критически важных системах.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость полупроводниковых устройств. Применение данного ГОСТа способствует повышению надежности и долговечности электронных компонентов, а также улучшению условий труда и охраны труда в производственных процессах. Изменения, внесенные в стандарт, касаются уточнения методов испытаний и повышения требований к точности измерений, что делает его более актуальным в условиях современного технологического прогресса.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»