Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
ГОСТ 18986.14-85
Группа Э29
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
MКC 31.080.10
ОКП 62 1000
Дата введения 1986-07-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23 мая 1985 г. N 1448 дата введения установлена 01.07.86
Ограничение срока действия снято по протоколу N 5-94 Межгосударственного совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12-94)
ВЗАМЕН ГОСТ 18986.14-75, ГОСТ 19656.8-74
ПЕРЕИЗДАНИЕ. Май 2004 г.
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений:
- метод замещения (метод I);
- резонансный метод с параллельным контуром (метод II);
- резонансный метод с последовательным контуром (метод III);
- мостовой метод (метод IV).
Метод I применяют для измерения дифференциального сопротивления на низкой частоте.
Методы II, III, IV применяют для измерения дифференциального сопротивления на высокой частоте, а также для измерения динамического сопротивления, если значение амплитуды измерительного сигнала равно или меньше значения постоянного напряжения.
Стандарт не распространяется на стабилитроны.
Общие условия при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18986.0-74 и ГОСТ 19656.0-74.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2769-80 в части методов измерения динамического сопротивления (см. приложение 1).
1. МЕТОД ЗАМЕЩЕНИЯ
1.1. Принцип, условия и режим измерения
1.1.1. Метод основан на сравнении дифференциального сопротивления диода с сопротивлением калибровочного резистора.
1.1.2. Измерения проводят в нормальных климатических условиях по ГОСТ 20.57.406-81.
1.1.3. Значения постоянного тока, частоты измерения должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях (далее - ТУ) на диоды конкретных типов.
1.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 18986 14 85» регламентирует методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений полупроводниковых диодов. Основное назначение стандарта заключается в установлении единых требований и процедур для проведения испытаний, что обеспечивает достоверность и сопоставимость получаемых результатов. Стандарт применяется в сфере электроники, где важна высокая точность измерений для обеспечения надёжности и качества полупроводниковых устройств.
В документе описываются ключевые аспекты, касающиеся методов измерения, таких как использование различных схем подключения, параметры измерительных приборов и условия проведения испытаний. Также регламентируются требования к точности и диапазону измеряемых величин, что позволяет обеспечить высокую степень воспроизводимости результатов. Важным элементом является описание условий, при которых должны проводиться испытания, включая температурный диапазон и уровень внешних помех.
Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых компонентов, научно-исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, которые занимаются сертификацией и проверкой качества электроники. Стандарт способствует улучшению качества продукции, так как его соблюдение позволяет производителям минимизировать количество дефектов и повышать надёжность своих изделий. Кроме того, он служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов производства.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых изделий. Соблюдение установленных требований способствует снижению рисков, связанных с эксплуатацией электроники, и повышает общую надёжность электронных систем. Стандарт также поддерживает совместимость различных компонентов, что является критически важным в условиях быстро развивающейся отрасли.
В последующих редакциях документа могут быть внесены изменения, касающиеся уточнения методов испытаний или добавления новых рекомендаций по измерениям. Эти дополнения направлены на адаптацию стандарта к современным требованиям и технологическим достижениям, что позволяет поддерживать его актуальность и соответствие современным условиям эксплуатации полупроводниковых устройств.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»
Возможно вас заинтересуют
ГОСТ 24733-81 Гнезда и штепсели однополюсные с диаметром контактов 1,6 и 4,0 мм. Технические условия (с Изменением N 1)
ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
ГОСТ 22578-77 Гнезда и штепсели однополюсные. Основные параметры и размеры. Общие технические требования (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации (с Изменением N 1)
ГОСТ 26991-86 Соединители оптические. Требования к технологическому процессу (с Изменением N 1)
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока (с Изменением N 1)