Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 19834.0-75 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 19834.0-75*
(СТ СЭВ 3788-82)
Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ИЗЛУЧАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Общие требования при измерении параметров
Semiconductor emitters.
General requirements for measurement of parameters
ОКП 621000
Дата введения с 01.07.76
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 февраля 1975 г. N 433 срок действия установлен с 01.07.87 до 01.07.87**
_______________
** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 05.03.91 N 217 (ИУС N 6, 1991 год). - Примечание изготовления базы данных.
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в декабре 1983 г., Пост. N 5736 от 06.12.83 (ИУС 3-84).
ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 01.06.87 N 1783 с 01.10.87
Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 9 1987 год
1. Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения (далее - излучатели), в том числе бескорпусные, и устанавливает общие требования при измерении параметров.
Стандарт соответствует CT СЭВ 3788-82 в части общих положений (см. справочное приложение 2).
(Измененная редакция, Изм. N 1).
2. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ
2.1. Измерения параметров излучателей следует проводить в нормальных климатических условиях по ГОСТ 20.57.406-81 или условиях, установленных в стандартах на конкретные методы измерения.
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
2.2. Электрический режим измерения должен соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
3. АППАРАТУРА
3.1. Аппаратура - по нормативно-технической документации и стандартам на конкретные методы измерения со следующим дополнением.
3.1.1. Измерительные установки должны обеспечивать исключение влияния посторонних засветок на результат измерений. Погрешности за счет контактных соединений при измерении параметров бескорпусных излучателей следует учитывать в стандартах на конкретные методы измерения.
3.1.2. Положение излучателя и фотоприемника должно обеспечивать измерение параметров в направлении геометрической оси корпуса излучателя для корпусных приборов и в направлении, перпендикулярном излучающей поверхности, для бескорпусных излучателей, в том числе для излучающих структур на пластинах.
3.1.3. При наличии в конструкции излучателя оптических элементов, изменяющих пространственную структуру излучения (линз, световодов, фоконов и т.п.), дополнительные требования должны соответствовать указанным в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.
3-3.1.3. (Измененная редакция, Изм. N 1).
3.1.4. В качестве образцовых и рабочих источников излучения следует использовать светоизмерительные лампы накаливания и светоизмерительные лампы с ленточным телом накала по ГОСТ 8.023-86* и ГОСТ 8.101-80, образцовые излучатели и контрольные образцы на основе излучателей, имеющих известную относительную спектральную плотность энергии излучения.
_______________
* Действует ГОСТ 8.023-2003. - Примечание изготовителем базы данных.
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
3.1.5. В качестве фотоприемника следует использовать фотоэлектронные умножители, фотоэлементы и фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения, чувствительные во всем диапазоне измерения измеряемого параметра и отградуированные по спектральной чувствительности.
3.1.6. Чувствительность фотоприемника должна быть постоянной в пределах допустимой погрешности во всем диапазоне измерения измеряемого параметра.
3.1.7. При импульсных режимах измерения фотометрических и статических параметров следует учитывать динамические параметры фотоприемника и инерционные свойства излучателя. Длительность импульса прямого тока должна превышать не менее чем в 50 раз длительность переходных процессов в излучателе и фотоприемнике. Длительность, амплитуда и частота следования импульсов прямого тока должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 19834-0-75 СТ СЭВ 3788-82 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров с изменениями Н 1, 2» предназначен для установления единых требований к полупроводниковым излучателям, которые применяются в различных областях, включая электронику и фотонику. Он охватывает методы измерения и оценки параметров излучателей, что позволяет обеспечить их соответствие установленным стандартам и требованиям безопасности.
Основными аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются методы измерения характеристик полупроводниковых излучателей, таких как мощность излучения, спектральный состав и эффективность. Также документ описывает требования к условиям испытаний, включая температуру, влажность и другие факторы окружающей среды, которые могут влиять на результаты измерений. Эти требования способствуют получению достоверных и воспроизводимых данных.
Ключевыми техническими деталями стандарта являются классификация полупроводниковых излучателей по их типам и назначению, а также перечень измеряемых величин, что позволяет пользователям стандарта четко понимать, какие параметры необходимо контролировать. Стандарт также описывает процедуры калибровки и проверки измерительных приборов, что является важным для обеспечения точности и надежности получаемых результатов.
Целевая аудитория документа включает производителей полупроводниковых излучателей, исследовательские лаборатории и контролирующие органы, которые занимаются сертификацией и проверкой оборудования. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов, обеспечивая высокое качество и безопасность продукции.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых излучателей, что, в свою очередь, обеспечивает надежность работы электронных устройств и систем. Стандарт способствует гармонизации требований в области производства и контроля, что облегчает взаимодействие между различными участниками рынка.
Изменения, внесенные в стандарт, касаются уточнения методов измерений и добавления новых рекомендаций по испытаниям, что позволяет адаптировать документ к современным требованиям и достижениям в области технологий. Эти дополнения направлены на улучшение точности измерений и повышение уровня безопасности при использовании полупроводниковых излучателей в различных приложениях.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»