Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 19834.2-74*
(СТ СЭВ 3788-82)
Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ИЗЛУЧАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
Semiconductor emitters.
Methods for measurement of radiant intensity and radiance
ОКП 621000
Срок действия с 01.01.76
до 01.01.87**
________________________________
** Ограничение срока действия снято
постановлением Госстандарта СССР от 05.03.91 N 217
(ИУС N 6, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 19 июля 1974 г. N 1731
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в декабре 1983 г.; Пост. N 5736 от 06.12.83 (ИУС 3-84).
ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 01.06.87 N 1783 с 01.10.87
Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 9 1987 год
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения (далее - излучатели), в том числе бескорпусные, и устанавливает методы измерения силы излучения:
метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0-75.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3788-82 в части измерения силы излучения и энергетической яркости (см. справочное приложение 2).
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
1. МЕТОД НЕПОСРЕДСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ*
____________________
* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.
1.1. Принцип и режим измерения
1.1.1. Принцип измерения основан на измерении электрического сигнала на выходе фотоприемника с известной чувствительностью при воздействии на фотоприемник потока излучения от излучателя в определенном телесном угле.
1.1.2. Значение прямого тока через излучатель должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.
1.2.1. Измерения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
- генератор тока;
- получатель;
- фотоприемник;
- измеритель тока;
,
- контакты подключения излучателя;
- расстояние от излучателя до приемной площадки фотоприемника
Черт.1*
_________________
* Чертеж 1. Измененная редакция, Изм. N 2.
1.2.2. Генератор тока должен обеспечивать задание и поддержание прямого тока через излучатель с погрешностью в пределах ±5%. При применении генератора прямоугольных импульсов тока частоту и длительность импульсов следует выбирать из условия обеспечения квазиимпульсного режима. Конкретное значение частоты модуляции указывают в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов. Предпочтительная частота модуляции 1-8 кГц.
1.2.3. Взаимное расположение излучателя и фотоприемника должно соответствовать оптической схеме, приведенной на черт.2.
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 19834-2-74» устанавливает методы измерения силы излучения и энергетической яркости полупроводниковых излучателей. Основное назначение стандарта заключается в обеспечении единообразия и точности измерений, что критично для оценки характеристик полупроводниковых устройств, используемых в различных областях, включая электронику и оптику. Сфера применения охватывает как научные исследования, так и промышленное производство, что делает стандарт актуальным для множества организаций.
Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются методы измерения, параметры, а также требования к испытательному оборудованию. Стандарт описывает процедуры, позволяющие точно определить силу излучения и энергетическую яркость, что является важным для оценки эффективности полупроводниковых излучателей. В документе также указаны условия, при которых должны проводиться испытания, что обеспечивает сопоставимость полученных данных.
Технические детали, содержащиеся в стандарте, включают классификацию полупроводниковых излучателей и измеряемые величины, такие как мощность излучения и спектральная плотность. Эти параметры являются критическими для корректной оценки производительности устройств и их соответствия установленным требованиям. Важным аспектом является также указание на необходимость использования калиброванного оборудования для достижения высокой точности измерений.
Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых излучателей, научные и исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, занимающиеся сертификацией и контролем качества. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов, что в свою очередь способствует повышению качества продукции и безопасности в эксплуатации.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых устройств, что особенно важно в условиях современных требований к электронике. Стандарт также способствует улучшению охраны труда, обеспечивая безопасность рабочих процессов, связанных с производством и испытаниями полупроводниковых излучателей. Изменения N 1 и N 2, внесённые в стандарт, уточняют методы измерений и расширяют диапазон применяемых технологий, что делает документ более актуальным для современных условий эксплуатации.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»
Возможно вас заинтересуют
ГОСТ 22402-77 Ключи трещоточные. Типы и основные размеры (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 25661-83 Установки для финишной очистки воды. Общие технические требования (с Изменением N 1)
ГОСТ 19834.0-75 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 27716-88 Фотошаблоны печатных плат. Общие технические условия
ГОСТ 24372-80 (СТ СЭВ 600-77) Ключи гаечные торцовые немеханизированные со сменными головками. Квадраты присоединительные наружные и внутренние. Размеры
ГОСТ 19834.3-76 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения (с Изменениями N 1, 2)