ГОСТ 19834.3-76 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения (с Изменениями N 1, 2)

ГОСТ 19834.3-76*
(СТ СЭВ 3788-82)

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ИЗЛУЧАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

Semiconductor emitters. Methods for measurement of relative spectral radiant energy distribution and spectral bandwidth

ОКП 621000

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 13 апреля 1976 г. N 810 срок действия установлен с 01.07.77 до 01.07.87**

________________

** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 05.03.91 N 217 (ИУС N 6, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в декабре 1983 г.; Пост. N 5736 от 06.12.83 (ИУС N 3-84).

ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Госстандарта СССР от 01.06.1987 N 1783 c 01.10.1987

Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 9, 1987 год

Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения (далее - излучатели) и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения.

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0-75.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3788-82 в части измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения (см. справочное приложение 1).

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1а. ПРИНЦИП И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ

1a.1. Принцип измерения основан на сравнении спектрального распределения энергии излучателя и образцового источника излучения.

1а.2. Значение прямого тока через излучатель должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов.

Разд.1а. (Введен дополнительно, Изм. N 1).

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерение спектрального состава излучения проводят на установке, структурная схема которой приведена на чертеже.

- генератор тока; - излучатель (проверяемый или образцовый); , - контакты подключения излучателя; - спектральный прибор; - фотоприемник; - регистрирующий прибор

(Измененная редакция, Изм. N 2).

1.2. Генератор тока должен обеспечивать задание и поддержание тока через излучатель с погрешностью в пределах ±5%.

1.3. В качестве образцового источника излучения следует использовать лампы с ленточным телом накала по ГОСТ 8.023-86*, МИ 1685-87**.

_______________

* На территории Российской Федерации документ не действует. Действует ГОСТ 8.023-2003;

** На территории Российской Федерации документ не действует. Действует ГОСТ 8.195-89. - Примечание изготовителя базы данных.

1.4. В качестве спектральных приборов следует использовать спектрографы, спектроскопы или монохроматоры с призменным или дифракционным диспергирующим элементом.* Спектральный прибор должен быть проградуирован с погрешностью в пределах ±5% измеряемой ширины спектра излучения.

________________

* Типы приборов - по рекомендуемому приложению 2.

1.3, 1.4. (Измененная редакция, Изм. N 2).

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа

ГОСТ 19834.3-76 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения (с Изменениями N 1, 2)

Номер документа

19834.3-76

Вид документа

Нормативно-технический документ

Классификация ОКС

31 Электроника 31.080 Полупроводниковые приборы

Статус

Скрыто

Дата принятия

Скрыто

Дата начала действия

Скрыто

Документ «ГОСТ 19834-3-76 СТ СЭВ 3788-82» устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения полупроводниковых излучателей. Основное назначение стандарта заключается в обеспечении единообразия и сопоставимости результатов измерений, что особенно важно для научных исследований и промышленного производства. Стандарт применяется в области электроники, оптики и фотоники, где используются полупроводниковые источники излучения.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются методы измерения, параметры излучения и требования к условиям испытаний. В частности, документ описывает порядок определения спектральной чувствительности измерительных устройств, а также методы калибровки и обработки данных. Также в стандарте указаны параметры, которые необходимо учитывать при проведении измерений, такие как температура, влажность и другие внешние факторы, влияющие на результаты.

Технические детали, содержащиеся в стандарте, включают описание условий испытаний, классификацию полупроводниковых излучателей и измеряемые величины, такие как спектральная мощность и ширина спектра. Эти параметры являются критически важными для оценки характеристик излучателей и их соответствия установленным требованиям. Стандарт также включает рекомендации по выбору оборудования и методов, что способствует повышению точности и надежности измерений.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полупроводниковых излучателей, лаборатории, занимающиеся испытаниями и сертификацией, а также контролирующие органы, ответственные за соблюдение нормативных требований. Стандарт служит основой для разработки новых технологий и улучшения существующих процессов, что способствует повышению конкурентоспособности продукции на рынке.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество полупроводниковых излучателей. Соблюдение требований ГОСТа позволяет гарантировать высокую надежность и стабильность работы излучателей, что, в свою очередь, обеспечивает безопасность пользователей и улучшает условия труда. Кроме того, стандартизация методов измерения способствует совместимости различных устройств и систем, что является важным аспектом в современном производстве.

Изменения, внесенные в стандарт, касаются уточнения методов измерения и расширения перечня параметров, подлежащих контролю. Эти изменения направлены на улучшение точности и воспроизводимости результатов, а также на адаптацию стандарта к современным требованиям и технологиям. В результате, документ остается актуальным и полезным инструментом для специалистов в области полупроводниковой техники.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.