Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения (с Изменениями N 1, 2)
ГОСТ 19834.4-79*
Группа Э29
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ИНФРАКРАСНЫЕ
Методы измерения мощности излучения
Semiconductor rediating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
ОКП 62 1000
Дата введения 1981-07-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 27.12.79 г. N 5087 дата введения установлена 01.07.81
Ограничение срока действия снято Постановлением Госстандарта от 05.03.91 N 217
* ИЗДАНИЕ (апрель 2000 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в декабре 1983 г., июне 1986 г. (ИУС 3-83, 10-86)
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения (далее - излучатели) и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения.
Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0-75.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3788-82 в части измерения мощности излучения (см. приложение 2).
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
1. МЕТОД НЕПОСРЕДСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ
1.1. Принцип измерения мощности излучения излучателей методом непосредственной оценки заключается в измерении электрического сигнала с выхода фотоприемника, в котором энергия излучения преобразуется в энергию электрического сигнала.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
1.3. Прямой ток излучателя должен соответствовать указанному в стандартах или технических условиях на излучатель конкретного типа.
Для исключения влияния внешних засветок допускается использование модулированного тока.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
2. АППАРАТУРА
2.1. Измерение мощности излучения проводят на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
- генератор тока;
- излучатель;
- фотоприемник;
- измеритель тока;
,
- контакты подключения излучателя
Черт.1
2.2. Генератор тока должен обеспечивать установление и поддержание прямого или модулированного тока через излучатель с погрешностью в пределах ±3%.
2.1, 2.2. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
2.3. Основная погрешность измерителя сигнала фотоприемника должна быть в пределах ±2%.
2.4. В качестве фотоприемника следует применять фотометрическую головку или фотометрический шар. При неполном попадании измеряемой мощности излучения на приемную поверхность фотоприемника следует использовать фотометрическую головку с рефлектором. Форма, качество и основные размеры рефлектора должны соответствовать указанным в стандартах или технических условиях на излучатели конкретных типов. Если полная мощность излучения подается на фотоприемник без использования рефлектора, следует применять адаптер, согласующий пространственное положение излучателя и фотоприемника.
Пространственное положение проверяемого и образцового излучателей при использовании рефлектора должно соответствовать черт.2.
Доступ к полной версии документа ограничен
Документ «ГОСТ 19834 4 79» регламентирует методы измерения мощности излучения инфракрасных полупроводниковых диодов. Основное назначение стандарта заключается в обеспечении единообразия и достоверности результатов измерений, что особенно важно в научных исследованиях и промышленности. Сфера применения включает в себя производство и тестирование инфракрасных диодов, а также их использование в различных устройствах и системах.
Ключевыми аспектами, регулируемыми данным стандартом, являются методы определения мощности излучения, параметры измерений и требования к испытательному оборудованию. Стандарт описывает несколько методов, включая интегрирующие и спектральные, которые позволяют точно оценивать характеристики излучения. Также определяются условия, при которых проводятся испытания, включая температурные режимы и условия окружающей среды.
Важные технические детали стандарта включают классификацию инфракрасных диодов по их характеристикам, а также измеряемые величины, такие как интенсивность излучения и спектральный состав. Эти параметры критически важны для оценки эффективности и качества полупроводниковых диодов. Стандарт также подчеркивает необходимость соблюдения определенных условий испытаний для получения достоверных результатов.
Целевая аудитория документа включает производителей полупроводниковых диодов, лаборатории, занимающиеся их испытанием, а также контролирующие органы, осуществляющие надзор за качеством продукции. Стандарт предоставляет необходимую информацию для обеспечения соответствия продукции установленным требованиям и повышения её конкурентоспособности на рынке.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда при работе с инфракрасными диодами. Соблюдение стандартов позволяет минимизировать риски, связанные с эксплуатацией изделий, а также обеспечивает их совместимость с другими устройствами. Изменения, внесенные в документ, касаются уточнения методов измерений и корректировки требований к испытательному оборудованию, что способствует улучшению точности и надежности получаемых данных.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»