Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-9-2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Документ «IEC 60747-9-2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)» посвящён стандартам для дискретных полупроводниковых устройств, конкретно для изолированных затворных биполярных транзисторов (IGBT). Основное назначение документа заключается в установлении требований к проектированию, испытаниям и оценке характеристик IGBT, что позволяет обеспечить высокую надёжность данных устройств в различных применениях, таких как силовая электроника и управление двигателями.
Документ охватывает ключевые регламентируемые аспекты, в том числе методы испытаний, параметры функциональности, а также требования к надежности устройств. Он предусматривает четкие процедуры для оценки таких характеристик, как максимальные значения напряжения, тока, а также временные параметры, что критически важно для гарантии стандартов производительности и безопасности.
Важные технические детали включают условия испытаний, такие как температура, влажность и другие экологические факторы, влияющие на производительность IGBT. Классификации транзисторов, основанные на их электрических характеристиках и способностях к управлению, обеспечивают чёткое понимание их возможностей и ограничений, что необходимо для точного выбора компонентов в проектировании электроники.
Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводников, исследовательские лаборатории и контролирующие органы, которые занимаются сертификацией и качественным контролем этих устройств. Понимание данного стандарта позволяет специалистам обеспечивать соответствие продукции современным требованиям по качеству и безопасности.
Практическое значение стандарта «IEC 60747-9-2019» заключается в его влиянии на безопасность и качество функционирования электрических систем, где используются IGBT. Он также затрагивает вопросы охраны труда, обеспечивая стабильную работу устройств без потенциальных угроз для человека. Стандарт способствует совместимости компонентов, повышая эффективность проектирования и интеграции различных систем.
Новые изменения и дополнения в данной редакции касаются уточнения испытательных методов и явных значений допустимых параметров для различных типов IGBT. Это позволяет последовательно обновлять знания и практики в области проектирования и тестирования полупроводниковых устройств в условиях быстро развивающихся технологий.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.
Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.
Возможно вас заинтересуют
BS IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications)
BS IEC 60747-8-2010 + A1-2021
IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications
BS IEC 60748-2-20-2008 Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2-20: Digital integrated circuits - Family specification - Low voltage integrated circuits
BS IEC 60748-23-1-2002 Semiconductor Devices - Integrated Circuits - Part 23-1: Hybrid Integrated Circuits and Film Structures - Manufacturing Line Certification - Generic Specification
IEC 60748-4-3-2006 Semiconductor devices – Integrated circuits – Part 4-3: Interface integrated circuits – Dynamic criteria for analogue-digital converters (ADC)