Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-4-2017 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 4: Microwave diodes and transistors Полупроводниковые устройства – Дискретные устройства – Часть 4: Микроволновые диоды и транзисторы

Название документа
IEC 60747-4-2017 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 4: Microwave diodes and transistors Полупроводниковые устройства – Дискретные устройства – Часть 4: Микроволновые диоды и транзисторы
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-4-2017» регламентирует основные требования к полупроводниковым устройствам, предназначенным для использования в микроволновой технике. Он охватывает как диоды, так и транзисторы, предоставляя исчерпывающую информацию о характеристиках, которые необходимо учитывать при их проектировании и производстве. Основная цель документа — обеспечить единообразие в производственных процессах и гарантировать надежность данных устройств в специфических условиях эксплуатации.

В стандарте рассматриваются ключевые методы испытаний, параметры и процедуры, необходимые для оценки функциональности микроволновых диодов и транзисторов. Обозначены методы измерений характеристик, таких как частота, мощность, прямое и обратное напряжение, а также параметры тепловых процессов, что позволяет производить детальную оценку качества изделий. Документ также включает в себя требования к условиям испытаний, что существенно влияет на интерпретацию результатов.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, заинтересованные в обеспечении соответствия продукции установленным нормам. Для производителей этот стандарт обозначает обязательные требования к качеству, которые они должны учитывать в процессе разработки и производства своих изделий. Лаборатории используют данный документ как базу для тестирования и управления качеством.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность эксплуатации полупроводниковых устройств, качество производимой продукции и соответствие международным требованиям. Соблюдение регламентируемых аспектов способствует повышению надежности и долговечности устройств, а также уменьшает вероятность аварийных ситуаций, связанных с их использованием. В документе также отражены изменения и дополнения, касающиеся новых методов испытаний и улучшенных параметров, что подтверждает его актуальность и стремление к непрерывному совершенствованию.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-3-2013 Semiconductor devices – Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes Полупроводниковые устройства – Часть 3: Дискретные устройства: Диоды сигналов, переключения и регулирования PDF IEC 60747-2-2016 Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes Полупроводниковые устройства - Часть 2: Дискретные устройства - Диоды выпрямления PDF IEC 60747-2-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 2: Rectifier diodes - Section 2: Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Дискретные устройства - Часть 2: Диоды выпрямления - Раздел 2: Образец технического задания на диоды выпрямления (включая диоды выпрямления с пробойным напряжением), рассчитанные на окружающую температуру и температуру корпуса, для токов больше 100 А PDF IEC 60747-5-1-2002 PDF IEC 60747-5-10-2019 Semiconductor devices - Part 5-10: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the room-temperature reference point Полупроводниковые устройства - Часть 5-10: Оптоэлектронные устройства - Лазерные диоды - Метод испытаний внутренней квантовой эффективности на основе эталонной точки комнатной температуры PDF IEC 60747-5-11-2019 Semiconductor devices - Part 5-11: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of radiative and nonradiative currents of light emitting diodes Полупроводниковые устройства - Часть 5-11: Оптоэлектронные устройства - Лазерные диоды - Метод испытаний радиационных и нерадиационных токов лазерных диодов