ASTM F1188-2002 Standard Test Method for Interstitial Atomic Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption with Short Baseline

Документ ASTM F1188-2002 представляет собой стандартный метод испытаний, предназначенный для определения содержания межслойного атомного кислорода в кремнии с использованием инфракрасной абсорбции с короткой базой. Этот стандарт применяется преимущественно в области полупроводниковой технологии, где контроль уровня кислорода в кремнии критически важен для обеспечения высокой производительности и надежности полупроводниковых устройств.

Основные аспекты, регламентируемые данным стандартом, включают описание методики измерения содержания атомного кислорода, параметры испытаний, а также требования к оборудованию и условиям проведения тестов. Метод основан на использовании инфракрасной спектроскопии, что позволяет точно определять концентрацию кислорода в образцах кремния. Важным элементом является короткая база, которая обеспечивает высокую чувствительность и точность измерений.

Технические детали, указанные в стандарте, касаются условий испытаний, таких как температура, давление и подготовка образцов, что необходимо для получения достоверных результатов. Также документ содержит информацию о классификации измеряемых величин и методах обработки данных. Все эти аспекты способствуют повышению качества и надежности получаемых результатов, что, в свою очередь, влияет на качество конечной продукции.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых материалов, научные и исследовательские лаборатории, а также контролирующие органы, ответственные за соблюдение стандартов качества. Эти группы заинтересованы в использовании надежных методов для контроля содержания кислорода в кремнии, что является важным фактором для обеспечения долговечности и эффективности полупроводниковых устройств.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда в производственных процессах. Строгое соблюдение данного стандарта способствует улучшению совместимости материалов и повышению общей надежности полупроводниковых изделий. В случае внесения изменений или дополнений в стандарт, они обычно касаются уточнения методик или улучшения точности измерений, что отражает стремление к постоянному совершенствованию процессов контроля качества.