ASTM F95-1989 Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer

Название документа

Вид документа

Принявший орган

Статус

Скрыто

Дата принятия

Скрыто

Дата начала действия

Скрыто

Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.

Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.

Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.

Возможно вас заинтересуют

ASTM F949-20

ASTM F948-1994 (R 2011) Standard Test Method for Time-to-Failure of Plastic Piping Systems and Components Under Constant Internal Pressure With Flow

ASTM F947-1985 (R 1996) Standard Test Method for Determining Low-Level X-Radiation Sensitivity of Photographic Films

ASTM F950-2002 Standard Test Method for Measuring the Depth of Crystal Damage of a Mechanically Worked Silicon Slice Surface by Angle Polishing and Defect Etching

ASTM F951-2002 Standard Test Method for Determination of Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers

ASTM F952-2012 (R 2017) Standard Specification for Mixing Machines, Food, Electric