Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-6-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section One: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
Скачать документ нельзя Можно заказать бесплатно один документ
Международные и зарубежные стандарты ( ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть» (“AS IS”), получены нами из открытых источников. Актуализация документов не производится, информацию о статусе, актуальности и полных атрибутах документов можно найти в тиражных системах «Техэксперт» либо в других источниках.
Возможно вас заинтересуют
IEC 60747-5-9-2019 Semiconductor devices - Part 5-9: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence
IEC 60747-5-8-2019 Semiconductor devices - Part 5-8: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes
IEC 60747-5-7-2016 Semiconductor devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors
IEC 60747-6-2-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors -
Section Two: Blank detail specification for bidirectional triode
thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
IEC 60747-6-2016 Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors
IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A