Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, для токов свыше 100 А

Название документа
IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, для токов свыше 100 А
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-6-3-1993» представляет собой стандарт, касающийся полупроводниковых устройств, а именно тиристоров. Он содержит спецификацию для действующих в обратном направлении триодных тиристоров с заданными параметрами, предназначенных для эксплуатации при токах более 100 ампер. Основная цель данного документа заключается в установлении единого подхода по проектированию, испытаниям и классификации данных устройств, что позволяет обеспечить их надёжность и совместимость в различных условиях эксплуатации.

В документе регламентируются ключевые аспекты, такие как методы испытаний, параметры, требования к характеристикам и процедуры измерений. К основным требованиям относятся условия, при которых должны проводиться испытания, а также методы классификации тиристоров. Этот стандарт устанавливает базовые параметры, включая температурные диапазоны, напряжение вызова и токи срабатывания, которые должны быть учтены при проектировании и производстве данных компонентов.

Ключевыми техническими деталями данного стандарта являются указанная методика тестирования на устойчивость к таким факторам, как температурные колебания и механические нагрузки. Особенное внимание уделяется измерению теплового сопротивления и потерь мощности, что критично для обеспечения надежности работы тиристоров в реальных условиях. Стандарт также охватывает условия, при которых устройства должны демонстрировать стабильную работу, и описывает параметры для успешного прохождения испытаний, что особенно важно для производителей.

Основными заинтересованными сторонами в применении данного стандарта являются производители полупроводниковых компонентов, лаборатории, осуществляющие тестирование и сертификацию, а также контролирующие органы. Данный стандарт служит основой для внедрения практик, направленных на улучшение качества и безопасности таких устройств, что влечет за собой важные последствия для всей отрасли. С помощью четких рекомендаций обеспечивает плюс в стандартизации и повышении надежности полупроводниковых решений.

Практическое значение стандарта заключается в его способности влиять на безопасность и качество конечных изделий, а также на уровень охраны труда при работе с высокомощными тиристорами. Более того, соблюдение этого стандарта способствует повышению совместимости различных устройств за счет унификации требований и спецификаций. В случае наличия изменений или дополнений к документу, они должны быть внимательно рассмотрены и интегрированы в производственные процессы, чтобы гарантировать полное соблюдение регламентированных норм в условиях постоянно развивающегося технологического окружения.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-6-2016 Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors Полупроводниковые устройства - Часть 6: Отдельные устройства - Тиристоры PDF IEC 60747-6-2-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Two: Blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для би-направленных тиристоров (треугольников), с оценкой окружающей среды или корпусированных, до 100 А PDF IEC 60747-6-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section One: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, до 100 А PDF IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section One: Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов с оценкой окружающей среды для применения в усилителях низкой и высокой частоты PDF IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты PDF IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы