Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы

Название документа
IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-7-2019» описывает стандарты для дискретных полупроводниковых устройств, в частности биполярных транзисторов. Его основное назначение заключается в установлении требований и методов, обеспечивающих качество и безопасность данных устройств, что делает его обязательным для применения в разработке и производстве полупроводниковых компонентов.

Стандарт включает в себя ключевые аспекты, такие как методы испытаний, параметры электрических характеристик, требования к материалам и производственным процессам. Он регламентирует процедуры оценки надежности и характеристик биполярных транзисторов, что позволяет создать согласованную основу для оценки их производительности и безопасности в различных условиях эксплуатации.

Важные технические детали документа охватывают условия испытаний, классификацию транзисторов и измеряемые величины, что позволяет производителям обеспечить высокое качество производимых устройств. Документ нацелен на производителей полупроводниковых компонентов, лаборатории, занимающиеся испытаниями и контролирующие органы, обеспечивая единые подходы к стандартам качества.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость биполярных транзисторов в различных изделиях. Стандарт способствует улучшению рабочих условий в производственных процессах, что важно для защиты здоровья работников. Кроме того, он учитывает последние изменения в технологиях и практике, что позволяет поддерживать актуальность разработок.

Согласно последним изменениям, внесённым в данную редакцию, были уточнены методы испытаний и добавлены новые рекомендации по классификации элементов. Это создает более четкие ориентиры для производителей и способствует лучшему соблюдению норм безопасности и качества, поддерживая высокие стандарты в полупроводниковой отрасли.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты PDF IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section One: Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов с оценкой окружающей среды для применения в усилителях низкой и высокой частоты PDF IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, для токов свыше 100 А PDF IEC 60747-7-3-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section three: Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов для применения в переключателях PDF IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел четыре: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях высокой частоты PDF IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7-5: Биполярные транзисторы для применения в силовых переключателях