Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты

Название документа
IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-7-2-1989» представляет собой стандарт, касающийся полупроводниковых приборов, а именно дискретных устройств. Он охватывает биполярные транзисторы, предлагая специальные условия для их применения в низкочастотной усилительной технике. Стандарт определяет требования к конструкции, характеристикам и испытаниям таких приборов, что важно для обеспечения их надежности и функциональности в различных приложениях.

Ключевыми аспектами документа являются методы тестирования и параметры, которые должны быть соблюдены при производстве биполярных транзисторов. В нем четко прописаны требования к электрическим характеристикам, температурным режимам, а также механическим свойствам. Эти параметры помогают производителям создать качественные и надежные устройства, соответствующие требованиям современного рынка.

Важные технические детали стандарта включают условия испытаний и классификацию транзисторов по различным величинам, таким как максимальное рабочее напряжение, ток утечки и коэффициент усиления. Эти характеристики позволяют лабораториям и контролирующим органам проводить оценку качества изделий, а также их соответствие международным нормам. Применение стандарта способствует унификации процессов тестирования и обеспечивает объективные критерии для анализа производительности.

Целевая аудитория стандарта включает в себя производителей полупроводниковых устройств, лаборатории, занимающиеся проверкой качества, а также контролирующие органы, отвечающие за безопасность электрических приборов. Они могут использовать документ как обязательное руководство при разработке новых изделий и оценке существующих. Кроме того, это поможет обеспечить прозрачность производственных процессов и уровня качества на всех стадиях — от разработки до серийного производства.

Практическое значение стандарта связано с влиянием на безопасность, качество прокладываемых изделий, а также их совместимость с другими устройствами. Нормативы, прописанные в документе, снижают риски, возникающие при неправильной эксплуатации, и способны повысить общую долговечность устройств. Важные изменения или дополнения к стандарту могут касаться уточнений параметров испытаний или внедрения новых методов оценки, что помогает оставаться на шаг впереди в быстро меняющемся мире технологий.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section One: Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов с оценкой окружающей среды для применения в усилителях низкой и высокой частоты PDF IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, для токов свыше 100 А PDF IEC 60747-6-2016 Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors Полупроводниковые устройства - Часть 6: Отдельные устройства - Тиристоры PDF IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы PDF IEC 60747-7-3-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section three: Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов для применения в переключателях PDF IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел четыре: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях высокой частоты