Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел четыре: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях высокой частоты

Название документа
IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел четыре: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях высокой частоты
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-7-4-1991» описывает спецификации для биполярных транзисторов, предназначенных для высокочастотного усиления. Основное назначение стандарта заключается в регламентации характеристик и требований к таким полупроводниковым устройствам, что способствует их надёжному использованию в различных приложениях, включая телекоммуникации и радиотехнику.

Ключевыми аспектами документа являются методы испытаний, параметры, которые должны быть соблюдены при производстве, а также требования к качеству и надежности транзисторов. Стандарт содержит описания методик измерения и оценки характеристик, таких как коэффициент передачи по току, частотная характеристика и температура перехода, что существенно для правильной эксплуатации этих устройств.

Документ определяет важные условия испытаний, включая температурные режимы, уровень напряжения и частотные диапазоны, в рамках которых проводятся измерения. Также представленные классификации биполярных транзисторов помогают производителям в выборе подходящих компонентов для конкретных задач, включая устройства для усиления сигнала в высокочастотных цепях.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории, а также регулирующие организации, занимающиеся контролем за качеством и безопасностью электронных компонентов. Обеспечение соответствия установленным стандартам позволяет сэкономить ресурсы на дополнительные испытания и продвижение продуктов на рынке.

Практическое значение IEC 60747-7-4-1991 заключается в повышении безопасности, качества и совместимости биполярных транзисторов с другими компонентами. Следование спецификациям стандарта способствует улучшению условий труда и минимизации аварийных ситуаций, связанных с электрическими устройствами.

С момента его публикации документ мог претерпеть поправки или дополнения, направленные на уточнение необходимых требований к новым технологиям и материалам, используемым в производстве. Это позволяет стандарту оставаться актуальным и отвечать современным требованиям рынка, включая аспекты устойчивости и экологической безопасности.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-7-3-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section three: Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов для применения в переключателях PDF IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы PDF IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты PDF IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7-5: Биполярные транзисторы для применения в силовых переключателях PDF IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section One: Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для однозатворных полевых транзисторов до 5 Вт и 1 ГГц PDF IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для полевых транзисторов для применения в корпусированных усилителях мощности