Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
Документ «IEC 60747-8-2-1993» представляет собой спецификацию, касающуюся полевых транзисторов, применяемых в усилителях мощности с учётом их тепловых характеристик. Его основное назначение заключается в установлении единого подхода к описанию технических параметров и требований к полевым транзисторам, что способствует их стандартному применению в различных отраслях, включая электронику и телекоммуникации.
Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным документом, являются методы испытаний, параметры, требования к механическим и электрическим свойствам, а также процедуры контроля качества. Спецификация охватывает условия испытаний, в том числе температуру, напряжение и ток, а также детализирует процедуру измерения основных характеристик транзисторов.
Документ нацелен на широкий круг специалистов, включая производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории и контролирующие органы, что делает его важным для стандартизации производства и проверки этих устройств. Его использование обеспечивает высокие стандарты надежности и совместимости при проектировании и производстве полевых транзисторов.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность и качество продукции, а также на охрану труда в процессе эксплуатации полевых транзисторов. Стандарт также подчеркивает важность соблюдения строгих требований к качеству, что предотвращает потенциальные неисправности в конечных изделиях и способствует улучшению их эксплуатационных характеристик.
Документ был пересмотрен и актуализирован с учётом новых технологических разработок и изменений в нормативных требованиях, что позволяет учитывать последние достижения в области полупроводниковых технологий. Эти изменения направлены на улучшение характеристики транзисторов и их интеграцию в современные системы, что обеспечивает большую эффективность и надёжность их эксплуатации.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.
Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.
Возможно вас заинтересуют
IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect
transistors - Section One: Blank detail specification for
single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz
IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications
IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar
transistors - Section Four: Blank detail specification for
case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
IEC 60747-8-2021
IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications
IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications