Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications Отдельные полупроводниковые устройства - Часть 8-4: Металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) для применения в силовых переключателях

Название документа
IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications Отдельные полупроводниковые устройства - Часть 8-4: Металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) для применения в силовых переключателях
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-8-4-2004» описывает спецификации для полупроводниковых устройств, в частности, металлоксидных полевых транзисторов (MOSFET), используемых в приложениях силового переключения. Основное назначение стандарта заключается в регламентировании методов и параметров, необходимых для обеспечения надежности и эффективности этих транзисторов в условиях различных электрических нагрузок. Документ предоставляет четкие указания по условиям эксплуатации и тестирования, что позволяет производителям разрабатывать более качественные и безопасные устройства.

Ключевые регламентируемые аспекты стандарта включают параметры, такие как максимальное напряжение и ток, температурные характеристики и электрические свойства MOSFET. Также описываются методы испытаний, которые необходимо проводить для подтверждения соответствия заявленным характеристикам. Требования к компонентам охватывают не только функциональные, но и эксплуатационные аспекты, что критически важно для гарантии долговечности полупроводниковых устройств.

Важные технические детали стандарта касаются условий испытаний, классификаций и измеряемых величин, таких как переходные характеристики и зависимость электрических параметров от температуры. Эти аспекты особенно актуальны для лабораторий и исследовательских учреждений, которые занимаются тестированием и верификацией электрических компонентов. Стандарт также предлагает рекомендации по интерпретации результатов испытаний, что позволяет повысить стабильность работы устройств в условиях нагрузки.

Целевая аудитория данного документа включает производителей MOSFET, испытательные лаборатории и контролирующие органы, что подчеркивает его важность для обеспечения качества и безопасности продукции. Стандарт влияет на процессы разработки и тестирования полупроводниковых технологий, что, в свою очередь, может снизить вероятность неисправностей и повысить безопасность применения электрооборудования в различных отраслях.

Практическое значение стандарта проявляется в улучшении качества, повышении безопасности и создании условий для совместимости между различными компонентами электрических систем. Стандарт IEC 60747-8-4-2004 способствует не только улучшению характеристик MOSFET, но и проведению унифицированных испытаний, что облегчает процесс сертификации для производителей. В последующих изданиях документа обсуждались изменения, касающиеся новых условий испытаний и более современных требований к тестированию, что делает его актуальным в условиях быстроменяющейся технологической среды.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел 3: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных полевых транзисторов для применения в переключателях PDF IEC 60747-8-2021 PDF IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для полевых транзисторов для применения в корпусированных усилителях мощности PDF IEC 60747-9-2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) Полупроводниковые устройства - Часть 9: Отдельные устройства - Изолированные затворные биполярные транзисторы (IGBT) PDF IEC 60748-1-2002 Semiconductor Devices - Integrated Circuits - Part 1: General Полупроводниковые устройства - Интегральные схемы - Часть 1: Общие PDF IEC 60748-11-1-1992 Semiconductor Devices Integrated Circuits Part 11: Section 1: Internal Visual Examination for Semiconductor Integrated Circuits Excluding Hybrid Circuits Полупроводниковые устройства Интегральные схемы Часть 11: Раздел 1: Визуальный осмотр внутри для полупроводниковых интегральных схем, исключая гибридные схемы