Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел 3: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных полевых транзисторов для применения в переключателях

Название документа
IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел 3: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных полевых транзисторов для применения в переключателях
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 60747-8-3-1995» описывает спецификации для полевых транзисторов (FET) случаев, предназначенных для переключательных приложений. Он служит основным источником информации для разработчиков и производителей, стремящихся обеспечить соответствие своим изделиям международным стандартам. Основное назначение спецификации — установить общие требования и параметры для проектирования и тестирования полевых транзисторов, что особенно важно в контексте обеспечения их надёжности и производительности в различных условиях эксплуатации.

Ключевыми аспектами, регулируемыми данным документом, являются методы испытаний, параметры производительности и требования к характеристикам транзисторов. Спецификация описывает условия, при которых должны проводиться тесты, включая диапазоны температур и напряжений, а также методы измерения основных характеристик, таких как выходная мощность и предельные параметры переключения. Все эти требования помогают обеспечить высокую степень совместимости и устойчивости производимых устройств к внешним факторам.

Технические детали, предусмотренные в документе, охватывают классификации полевых транзисторов, а также методы их выполнения и испытаний. Важно отметить необходимость соблюдения установленных условий испытаний для обеспечения надлежащего функционирования транзисторов в реальных применениях. Указанные в документе методы позволяют лабораториям точно оценивать характеристики транзисторов и оперативно выявлять несоответствия в их работе.

Целевая аудитория данного стандарта включает производителей полевых транзисторов, лаборатории, занимающиеся их испытаниями, а также контролирующие органы, отвечающие за соблюдение норм безопасности и качества. Учитывая актуальность документа, он служит важным инструментом для всех участников рынка, обеспечивая единое понимание и применение стандартов в области полупроводниковых устройств.

Практическое значение стандарта проявляется через его влияние на безопасность и качество полевых транзисторов, что особенно актуально для высоконагруженных приложений. Стандарт способствует увеличению стабильности и надежности устройств, а также снижению рисков, связанных с их эксплуатацией, что в свою очередь улучшает условия охраны труда и общей безопасности. Данные положительные аспекты способствуют формированию доверия к продуктам, созданным в соответствии с международными требованиями.

С момента его опубликования документ претерпел ряд изменений и дополнений, касающихся методов испытаний и параметров, для повышения точности и доступности информации. Это указывает на непрерывное развитие и адаптацию стандартов к современным технологиям, что в свою очередь гарантирует актуальность и применение спецификаций в новой реальности рынка полупроводников.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF IEC 60747-8-2021 PDF IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для полевых транзисторов для применения в корпусированных усилителях мощности PDF IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section One: Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для однозатворных полевых транзисторов до 5 Вт и 1 ГГц PDF IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications Отдельные полупроводниковые устройства - Часть 8-4: Металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) для применения в силовых переключателях PDF IEC 60747-9-2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) Полупроводниковые устройства - Часть 9: Отдельные устройства - Изолированные затворные биполярные транзисторы (IGBT) PDF IEC 60748-1-2002 Semiconductor Devices - Integrated Circuits - Part 1: General Полупроводниковые устройства - Интегральные схемы - Часть 1: Общие