Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-8-2021
Документ «IEC 60747-8-2021» представляет собой международный стандарт, определяющий методы испытаний и требования к полупроводниковым прибором, использующимся в различных промышленных приложениях. Основное назначение документа заключается в формировании единого подхода к оценке характеристик таких приборов, что важно для обеспечения совместимости и безопасности в электронике. Стандарт применим в областях проектирования, тестирования и сертификации полупроводниковых устройств.
Ключевыми регламентируемыми аспектами являются методы тестирования, параметры, которые необходимо измерять, и требования к условиям испытаний. Стандарт описывает процедуры, которые должны проводиться для определенных категорий приборов, включая их электрические и термические характеристики. Это позволяет обеспечить однородность данных, что критически важно для научных исследований и промышленных внедрений.
Важные технические детали стандарта включают условия испытаний, классификации полупроводниковых приборов и измеряемые величины, такие как напряжение, ток и температура. Особенно акцентировано внимание на проценте погрешности и технике измерения, что способствует гармонизации национальных и международных норм. Стандарт также предоставляет четкие рекомендации по проведению испытаний, что минимизирует риски ошибок.
Целевая аудитория документа охватывает производителей полупроводниковых устройств, исследовательские лаборатории и контролирующие органы. Все эти группы заинтересованы в соблюдении высоких стандартов качества и безопасности продукции. Эффективное использование этого стандарта позволяет избежать недоразумений в производственном процессе и обеспечивает высокую степень доверия к готовой продукции.
Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость полупроводниковых устройств. Соблюдение норм, установленных стандартом, гарантирует, что продукция будет работать безопасно и эффективно в различных условиях эксплуатации. Изменения в «IEC 60747-8-2021» касаются уточнения методов испытаний, что делает стандарт более актуальным и применимым к современным технологиям.
Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.
Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»
Возможно вас заинтересуют
IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для полевых транзисторов для применения в корпусированных усилителях мощности
IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section One: Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz
Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для однозатворных полевых транзисторов до 5 Вт и 1 ГГц
IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications
Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7-5: Биполярные транзисторы для применения в силовых переключателях
IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications
Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел 3: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных полевых транзисторов для применения в переключателях
IEC 60747-8-4-2004 Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
Отдельные полупроводниковые устройства - Часть 8-4: Металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) для применения в силовых переключателях
IEC 60747-9-2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Полупроводниковые устройства - Часть 9: Отдельные устройства - Изолированные затворные биполярные транзисторы (IGBT)