Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-7-3-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section three: Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
Скачать документ нельзя Можно заказать бесплатно один документ
Международные и зарубежные стандарты ( ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть» (“AS IS”), получены нами из открытых источников. Актуализация документов не производится, информацию о статусе, актуальности и полных атрибутах документов можно найти в тиражных системах «Техэксперт» либо в других источниках.
Возможно вас заинтересуют
IEC 60747-7-2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7: Bipolar transistors
IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar
transistors - Section Two: Blank detail specification for
case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification
IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar
transistors - Section One: Blank detail specification for
ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency
amplification
IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar
transistors - Section Four: Blank detail specification for
case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
IEC 60747-7-5-2005 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications
IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect
transistors - Section One: Blank detail specification for
single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz