Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

DIN 50450-2-1991 Testing of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of oxygen impurity in N2, Ar, He, Ne and H2 by using a galvanic cell Проверка материалов для полупроводниковой технологии; определение примесей в газах-носителях и газах-донорах; определение примеси кислорода в N2, Ar, He, Ne и H2 с использованием гальванической ячейки

Название документа
DIN 50450-2-1991 Testing of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of oxygen impurity in N2, Ar, He, Ne and H2 by using a galvanic cell Проверка материалов для полупроводниковой технологии; определение примесей в газах-носителях и газах-донорах; определение примеси кислорода в N2, Ar, He, Ne и H2 с использованием гальванической ячейки
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «DIN 50450-2-1991 Testing of materials for semiconductor technology» служит важным нормативным стандартом, определяющим методы испытаний материалов, используемых в полупроводниковой технологии. Он используется в различных отраслях, связанных с разработкой и производством полупроводниковых устройств. Основное назначение документа заключается в обеспечении единых требований к испытаниям, что способствует повышению качества и надежности полупроводниковой продукции.

Ключевыми аспектами, регламентируемыми данным стандартом, являются методы выполнения испытаний, параметры, которые необходимо учитывать, а также требования к условиям испытаний. Стандарт охватывает процедуры, касающиеся как физико-механических, так и химических характеристик исследуемых материалов. Важно обратить внимание на спецификации по подготовке проб и методике измерений, так как они критически влияют на достоверность получаемых результатов.

Среди технических деталей, упомянутых в документе, особое внимание уделяется условиям испытаний, таким как температура, влажность и давление, а также классификациям материалов в зависимости от их назначений и характеристик. Измеряемые величины включают электрические и теплофизические параметры, что позволяет оценивать эксплуатационные свойства материалов в различных сценариях использования.

Целевая аудитория стандарта включает производителей полупроводниковых компонентов, исследовательские лаборатории и контролирующие органы, заинтересованные в обеспечении соответствия продукции установленным нормам. Каждый из этих участников играет важную роль в контроле качества и соблюдении стандартов, что, в свою очередь, влияет на успешность внедрения новых технологий в производственный процесс.

Практическое значение стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость полупроводниковых устройств, что критически важно для обеспечения стабильной работы электронной аппаратуры. Следование установленным требованиям помогает снизить риски, сопутствующие производству и эксплуатации полупроводниковых изделий. Документ также включает изменения и дополнения, направленные на улучшение методов испытаний, что может отразиться на актуальности и применимости стандарта в условиях динамично развивающейся технологической среды.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF DIN 50450-1-1987 Testing of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of water impurity in hydrogen, oxygen, nitrogen, argon and helium by using a diphosphorus pentoxide cell Проверка материалов для полупроводниковой технологии; определение примесей в газах-носителях и газах-донорах; определение примеси воды в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелии с использованием ячейки дифосфата пентоксида PDF DIN 5044-2-1982 PDF DIN 5044-1-1981 PDF DIN 50450-3-1991 Testing of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of methane impurity in H2, O2, N2, Ar and He by using a flame ionization detector (FID) Проверка материалов для полупроводниковой технологии; определение примесей в газах-носителях и газах-донорах; определение примеси метана в H2, O2, N2, Ar и He с использованием детектора пламенного ионизации (FID) PDF DIN 50450-4-1993 Testing of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and dopant gases; determination of C1-C3-hydrocarbons in nitrogen by gas-chromatography Проверка материалов для полупроводниковой технологии; определение примесей в газах-носителях и газах-донорах; определение C1-C3-углеводородов в азоте методом газовой хроматографии PDF DIN 50450-9-2003 Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C1-C3-hydrocarbons in gaseous hydro Проверка материалов для полупроводниковой технологии - Определение примесей в газах-носителях и газах-донорах - Часть 9: Определение кислорода, азота, оксида углерода, диоксида углерода, водорода и C1-C3-углеводородов в газообразном водороде