Картотека документов
Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации
IEC 60747-6-2-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Two: Blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
Название документа
IEC 60747-6-2-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors -
Section Two: Blank detail specification for bidirectional triode
thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
Вид документа
Принявший орган
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто
Скачать документ нельзя. Вы можете заказать документ.
Международные и зарубежные стандарты (ASTM, ISO, ASME, API, DIN, BS и др.) не предоставляются в рамках данной услуги. Каждый стандарт приобретается платно с учетом лицензионной политики Разработчика.
Любые авторские документы, размещенные на сайте, представлены в соответствии с признанным в международной практике принципом «как есть». ООО «Информпроект Групп» не несет ответственности за правильность информации, изложенной в авторских документах.
Возможно вас заинтересуют
IEC 60747-6-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors -
Section One: Blank detail specification for reverse blocking triode
thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
IEC 60747-5-9-2019 Semiconductor devices - Part 5-9: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence
IEC 60747-5-8-2019 Semiconductor devices - Part 5-8: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes
IEC 60747-6-2016 Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors
IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar
transistors - Section One: Blank detail specification for
ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency
amplification