Код ОКС/МКС 31.080, Полупроводниковые приборы
Классификация стандартов и доступные нормативные документы по выбранному коду.
Нормативная база
Документы по коду 31.080
184 найдено
Информация носит ознакомительный характер и может быть неполной. Актуальный состав документов доступен в информационной сети «Техэксперт».
- ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия
- ГОСТ 28625-90 (МЭК 747-3-2-86) Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
- ГОСТ 28624-90 (МЭК 747-11-85) Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
- ГОСТ 28623-90 (МЭК 747-10-84) Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
- ГОСТ 28578-90 (МЭК 749-84) Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
- ГОСТ 28167-89 Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования
- ГОСТ 20859.1-89 (СТ СЭВ 1135-88) Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
- ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
- ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования (с Изменением N 1)
- ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
- ГОСТ 18472-88 (СТ СЭВ 1818-86) Приборы полупроводниковые. Основные размеры (с Изменениями N 1, 2)
- ГОСТ 18604.11-88 (СТ СЭВ 3996-83) Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах
- ГОСТ 17772-88 (СТ СЭВ 3789-82) Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
- ГОСТ 18604.19-88 (СТ СЭВ 6038-87) Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения (с Изменением N 1)
- ГОСТ 27591-88 (СТ СЭВ 5875-87) Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
- ГОСТ 23900-87 (СТ СЭВ 1136-86) Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
- ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
- ГОСТ 27264-87 (СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
- ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров (с Изменением N 1)
- ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»