495963619 — ИНФОРМПРОЕКТ ГРУПП
Картотека документов

Электронный фонд правовой
и нормативно-технической документации

IEC 62047-31-2019 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 31: Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 31: Метод четырехточечного изгиба для определения энергии сцепления интерфейса материалов многослойных MEMS

Загрузка документа...

Доступ к полной версии документа ограничен

Название документа
IEC 62047-31-2019 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 31: Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 31: Метод четырехточечного изгиба для определения энергии сцепления интерфейса материалов многослойных MEMS
Статус
Скрыто
Дата принятия
Скрыто
Дата начала действия
Скрыто

Документ «IEC 62047-31-2019» охватывает метод испытания на четырехточечном изгибе, предназначенный для измерения энергии адгезии межслойных материалов в микроэлектромеханических системах (MEMS). Он стал важным инструментом для оценки прочности соединений в различных слоях, используемых в полупроводниковых устройствах. Этот стандарт служит основой для обеспечения долговечности и надежности MEMS, что критически важно в высокотехнологичных приложениях.

Ключевые аспекты документа включают описание методов испытаний, спецификации параметров, необходимых для выполнения испытаний, а также требования к оборудованию и условиям тестирования. Применение четырехточечного изгиба позволяет точно и надежно оценивать параметры адгезии, что в свою очередь позволяет выявить потенциальные проблемы в структурной целостности материалов. Стандарт закрепляет методы, которые должны быть соблюдены для получения повторяемых и надежных результатов.

Важными техническими деталями являются условия испытаний, такие как температура, давление и скорость изгиба, а также классы материалов, которые могут быть протестированы с использованием данного метода. Документ также описывает количественные параметры, которые подлежат измерению, включая максимальные напряжения и деформации. Эти моменты являются критичными для правильной интерпретации результатов и повышают общую точность тестирования.

Целевая аудитория стандарта включает производителей MEMS, исследовательские лаборатории, а также учреждения, ответственные за сертификацию и контроль качества. Стандарт предоставляет необходимую информацию для профессионалов, занимающихся разработкой и тестированием полупроводниковых устройств, что является обязательным для достижения высоких стандартов качества и надежности.

Практическое значение данного стандарта заключается в его влиянии на безопасность, качество и совместимость материалов, используемых в MEMS. Применение стандарта способствует снижению рисков, связанных с отказами в работе устройств, а также улучшает условия труда работников, занимающихся производством и тестированием. Если документ был изменен или обновлен, это зачастую связано с уточнением методов и расширением области применения, что обеспечивает его актуальность в условиях быстроразвивающейся технологий в области MEMS.

Описание документа носит справочный характер, достоверность этого материала не гарантируется.

Чтобы получить полный доступ к этому и другим документам, приобретайте доступ к Информационной сети «Техэксперт» - лидеру в области комплексного обеспечения предприятий нормативно-технической документацией.

Нормативно-техническая документация (ГОСТ, СНиП, ГН, Р, ГЭСН и др.)
Нормативно-правовые акты органов государственной власти (законы, законопроекты, постановления)
Технологическая документация (чертежи, схемы и др.)
Аналитические материалы
Классификаторы и словари
Справочная информация
Все документы и информация о них
доступны в системах «Техэксперт» и «Кодекс»

Возможно вас заинтересуют

PDF BS IEC 62047-30-2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства Часть 30: Методы измерения электромеханических характеристик пьезоэлектрических тонких пленок MEMS PDF IEC 62047-29-2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin films under room temperature Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 29: Метод испытания электромеханического расслабления для свободных проводящих тонких пленок при комнатной температуре PDF IEC 62047-28-2017 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 28: Performance testing method of vibration-driven MEMS electret energy harvesting devices Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 28: Метод испытания характеристик вибрационных драйверов MEMS электретных устройств для сбора энергии PDF BS IEC 62047-32-2019 Semiconductor devices — Micro-electromechanical devices Part 32: Test method for the nonlinear vibration of MEMS resonators Полупроводниковые устройства — Микроэлектромеханические устройства Часть 32: Метод испытаний нелинейных колебаний резонаторов MEMS PDF IEC 62047-33-2019 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 33: MEMS piezoresistive pressure-sensitive device Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 33: Мемс-пьезорезистивный давлением чувствительный датчик PDF IEC 62047-34-2019 Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices – Part 34: Test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device on wafer Полупроводниковые устройства – Микроэлектромеханические устройства – Часть 34: Методы испытаний для МЭМС-датчиков давления пьезорезистивного типа на кремниевой пластине